一季度净利同比暴涨197.20%
2026 年第一季度，中微公司实现营业收入 29.15 亿元，较上年同期的 21.73 亿元增长 34.13%。实现归属于上市公司股东的净利润 9.30 亿元，较上年同期的 3.13 亿元暴涨 197.20%。实现归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润 4.78 亿元，较上年同期的 2.98 亿元增长 60.09%。
至于中微公司一季度净利润同比增长近两倍，则主要得益于：营业收入增长 34.13% 的同时，毛利较上年增长约 2.60 亿元。同时，一季度出售了部分持有的拓荆科技股份有限公司股票，产生税后净收益约 3.97 亿元，计入非经常性损益。
值得一提的是，中微公司一季度研发支出合计 9.08 亿元，较上年同期的 6.87 亿元增长 32.15%，研发支出占营业收入比例约为 31.14%，远高于科创板上市公司平均水平。
三大产品线新产品均已进入客户端验证阶段
从具体的业务来看，一季度中微公司的刻蚀、薄膜沉积、MOCVD 三条产品线均有重要技术突破和新产品进入客户端验证，为未来持续增长奠定了坚实基础。截至一季度末，中微公司累计已有超过 8300 个反应台在国内外 180 余条客户芯片及 LED 生产线全面量产。
中微公司在刻蚀设备领域持续保持技术领先。针对先进逻辑和存储器件制造中关键刻蚀工艺的高端产品新增付运量显著提升。在先进存储器件制造工艺中，公司完全自主开发的针对超高深宽比刻蚀工艺的刻蚀机已有 300 多台反应器实现稳定可靠的大规模量产。
电容性耦合等离子体刻蚀（CCP）设备方面，用于关键刻蚀工艺的介质刻蚀产品持续保持高速增长，下一代 90:1 超高深宽比低温刻蚀设备已运付客户端进行验证，公司已全面覆盖存储器刻蚀应用中各类超高深宽比需求。
电感性耦合等离子体刻蚀（ICP）设备方面，适用于新一代逻辑和存储芯片制造用的第二代 ICP 刻蚀设备 Primo Angnova 在 3D DRAM 的应用中，取得了 140:1 的高深宽刻蚀结果和形貌控制能力，并付运到国内领先存储客户端认证。全新的化学气相刻蚀设备 Primo Domingo 实现大于 700:1 的业界领先硅锗 / 硅高选择比，在环绕式栅极晶体管（GAA）和 3D DRAM 关键工艺的实验室验证中展现优异的刻蚀性能，全面满足客户的各项工艺指标要求。
2、薄膜沉积设备业务
中微公司以行业领先的研发速度，在短时间内成功开发出十多种薄膜设备，包括低压化学气相沉积（LPCVD）、原子层沉积（ALD）、外延（EPI）、物理气相沉积铜阻挡层（PVD CuBS）和等离子体增强化学气相沉积（PECVD）等产品。在先进存储和先进逻辑市场，公司薄膜设备的新增付运量保持快速增长，2025 年薄膜设备营收同比大幅增长约 224.23%，成为公司业绩增长的重要新引擎。
公司为先进逻辑和先进存储器件金属栅应用开发的 ALD 系列产品，设备性能达到国际领先水平，同时表现出更优异的生产效率。可用于先进半导体器件制造的核心金属薄膜沉积产品正在开发中，项目顺利推进。所开发的多款核心介质沉积设备都在有序推进，与客户的各项验证工作取得良好进展。
公司的减压 EPI 设备已在成熟制程客户端验证成功，也已付运先进制程客户端，部分先进工艺已进入量产验证阶段。常压外延设备现已完成开发，进入晶圆验证阶段。
中微公司持续保持国际氮化镓基 MOCVD 设备市场领先地位，积极布局用于碳化硅和氮化镓基功率器件应用的市场，并在 Micro-LED 和其他显示领域的专用 MOCVD 设备开发上取得良好进展。
四款 MOCVD 新产品，包括用于碳化硅和氮化镓功率器件的 MOCVD、用于 Micro LED 的氮化镓 MOCVD 和用于红黄光 LED 的砷化镓 MOCVD 设备，已进入客户端验证阶段，并且部分得到批量订货。
中微公司 2026 年一季度延续了高速增长态势。营业收入在 2025 年全年增长 36.62% 的基础上，一季度同比增长 34.13%。归母净利润增长近两倍，尽管其中有出售拓荆科技股票带来的一次性收益贡献，但扣非净利润仍实现超过 60% 的增长。更重要的是，公司研发投入强度维持在 31% 以上的极高水平，并且刻蚀、薄膜沉积、MOCVD 三条产品线均有重要技术突破和新产品进入客户端验证，为未来持续增长奠定了坚实基础。
编辑：芯智讯 - 浪客剑
