【CNMO 科技消息】4 月 12 日，据外媒报道，三星电子在 2 纳米芯片制造技术方面仍面临挑战，与高通公司的合作关系前景不明。最新信息显示，三星的制造技术未能达到高通要求的水准，两家公司的合作进展困难。
据报道，三星电子的 2 纳米 GAA 工艺良率约为 60%，未能达到高通要求的约 70%。良率是直接影响制造效率和成本的重要指标，这一差距被认为是阻碍两家公司合作的主要因素。另一方面，台积电的最先进工艺以稳定供应为优势，但也存在成本较高的课题。此前有观点认为高通和联发科在考虑转向三星制造，但由于下一代芯片的设计和试制已经推进，短期内切换供应商的难度很大。
尽管如此，三星的 2 纳米技术未来仍有改善的可能。该公司预计年内推出第二代 2 纳米工艺，并计划用于自家芯片。如果良率改善顺利推进，未来高通与其关系可能再次启动。为实现双重供应战略，未来的技术进展将成为关键点。目前三星电子与高通之间的距离略显疏远，但考虑到半导体市场的竞争环境，这种关系仍有再次接近的空间。
