国家知识产权局信息显示，合肥晶合集成电路股份有限公司申请一项名为 " 半导体器件及其制备方法 " 的专利，公开号 CN121843508A，申请日期为 2026 年 3 月。
专利摘要显示，本申请提供了一种半导体器件及其制备方法，属于半导体技术领域，所述半导体器件包括：衬底；有源区，位于所述衬底中，沿第一方向延伸；栅极结构，位于所述衬底表面，且沿第二方向跨越所述有源区，所述第二方向与所述第一方向正交；沟槽隔离结构，位于所述衬底中，且环绕所述有源区，所述沟槽隔离结构与所述有源区相接触的两侧边缘设有凹槽，所述凹槽位于所述栅极结构的下方；宽禁带半导体材料层，填充于所述凹槽中，并与所述有源区的边缘相接触，且所述宽禁带半导体材料层的顶部与所述栅极结构的底部相接触，所述宽禁带半导体材料层的禁带宽度大于所述衬底的禁带宽度。本申请可提高半导体器件的性能。
天眼查资料显示，合肥晶合集成电路股份有限公司，成立于 2015 年，位于合肥市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本 200759.1697 万人民币。通过天眼查大数据分析，合肥晶合集成电路股份有限公司共对外投资了 11 家企业，参与招投标项目 640 次，财产线索方面有商标信息 41 条，专利信息 1604 条，此外企业还拥有行政许可 26 个。
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作者：情报员
