快科技 7 月 22 日消息，三星可能要到 2029 年才能量产使用混合键合技术的 HBM 芯片，届时将配合英伟达的下一代 Feynman AI GPU。
混合键合是下一代 HBM 制造技术，通过移除 DRAM 层间的微凸点，减少层间空间，提供更好的性能，被认为是 HBM 的未来方向，与传统微凸点连接相比，混合键合能让芯片层与层之间贴合更紧密，数据传输更快、功耗更低。
三星正在从荷兰 BE Semiconductor 购买 50 台混合键合机器，计划今年底开始安装，2029-2030 年大规模量产。
与此同时，三星还在开发定制 HBM 芯片，将逻辑芯片直接集成到 HBM 中，采用 3D 系统级封装（SiP）架构，进一步提升性能。
英伟达的 Feynman AI GPU 预计将在 Rubin Ultra 之后推出，将依赖 3D 堆叠和定制 HBM，与三星的混合键合量产时间点相吻合。
三星的混合键合量产时间比预期晚，可能影响其在 HBM 市场追赶 SK 海力士的进度，但 2029 年与英伟达新 GPU 配合的时间点显示三星正在瞄准下一代市场。
你觉得三星的混合键合技术能追上 SK 海力士的 HBM 优势吗？
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