DRAM 价格 Q2 看涨 58%，兆易创新、佰维存储受益行业高景气！
DRAM 价格 Q2 加速上涨，行业供需格局持续优化
今年 3 月，由于部分 PC 厂商提前锁定 DRAM 供应合约，短期价格涨势有所放缓。然而，随着 AI 服务器、数据中心需求爆发，存储芯片厂商加速将产能转向高附加值产品，如 HBM（高带宽存储器）和服务器 DRAM，导致传统 DRAM 供应趋紧。三星电子、SK 海力士等全球存储巨头已通知客户，计划在第二季度大幅上调 DRAM 价格，进一步印证行业景气度持续向好。
TrendForce 指出，尽管终端消费电子市场仍面临需求波动，但存储芯片厂商通过 " 补涨 " 策略调整产品价差，叠加 AI 需求强劲，DRAM 价格仍将维持强势上涨趋势。与此同时，NAND Flash 市场同样受 AI 和数据中心需求推动，全产品线价格普涨，预计第二季度涨幅高达 70%-75%，且后续价格仍将保持坚挺。
兆易创新：NOR+NAND 双轮驱动，AI 定制存储打开成长空间
兆易创新（603986）是国内领先的存储芯片设计企业，产品涵盖 NOR Flash、NAND Flash 及 DRAM 等。在 NOR Flash 领域，公司市场份额位居全球前列，广泛应用于物联网、汽车电子、工业控制等领域。随着 AIoT（人工智能物联网）和智能穿戴设备需求增长，NOR Flash 市场持续扩容，兆易创新有望进一步巩固行业地位。
在 NAND Flash 方面，兆易创新积极布局 SLC NAND 产品线，并逐步向高容量市场拓展。公司近期推出的高性能存储解决方案已应用于 AI 服务器、智能汽车等领域，定制化存储业务成为新的增长点。此外，兆易创新与长鑫存储合作推进 DRAM 业务，未来有望在国产替代浪潮中占据更大市场份额。
佰维存储：全产品线布局，受益存储芯片涨价红利
佰维存储（688525）是国内少数具备全系列存储产品布局的企业，覆盖嵌入式存储、固态硬盘（SSD）、内存模组、存储卡等，产品广泛应用于消费电子、工业控制、数据中心等领域。公司凭借技术积累和供应链优势，在 NAND Flash 和 DRAM 市场均占据一定份额。
随着存储芯片价格持续上涨，佰维存储的盈利能力有望显著提升。公司近年来加大研发投入，推出高性能企业级 SSD 和内存模组，逐步切入服务器、数据中心等高端市场。此外，佰维存储在国产化替代方面进展迅速，与国内主流芯片厂商深度合作，未来成长空间广阔。
行业展望：AI+ 国产化驱动长期增长
当前，AI 服务器、智能汽车、数据中心等新兴应用对存储芯片的需求呈现爆发式增长，而存储芯片厂商的产能调整进一步加剧供应紧张。在此背景下，DRAM 和 NAND Flash 价格有望维持高位运行，行业景气度将持续提升。
对于国内存储芯片企业而言，除了受益于全球涨价潮，国产化替代亦带来巨大机遇。随着国家政策支持及产业链协同发展，兆易创新、佰维存储等龙头企业有望在技术突破和市场拓展方面取得更大进展，长期成长性值得期待。
投资建议：关注存储芯片龙头标的
综合行业趋势及公司基本面，兆易创新（603986）和佰维存储（688525）作为国内存储芯片领域的核心企业，将直接受益于 DRAM 和 NAND Flash 价格上涨。投资者可密切关注行业供需变化及公司业绩释放情况，把握存储芯片行业的投资机会。
作者声明：作品含 AI 生成内容
