【CNMO 科技消息】4 月 30 日，三星电子在 2026 年第一季度财报电话会议上表示，近期通用 DRAM 的盈利能力已高于高带宽存储器（HBM），但公司将维持两者之间的均衡生产比重。
三星电子方面承认：" 近期通用 DRAM 的价格出现上涨，其盈利能力确实比 HBM 更高。" 公司解释称，HBM 以年度为单位提前签订供应合同，而通用 DRAM 则以季度为单位进行价格协商，因此通用 DRAM 能够更早反映价格上升趋势，导致短期内的收益性出现逆转。
不过，三星电子明确表示，不会因为通用 DRAM 短期盈利更高而大幅调整生产结构。公司强调，若生产过度向通用 DRAM 倾斜，反而会加剧 HBM 的供不应求局面，届时 HBM 的盈利能力有望重新追赶上来。因此，三星计划在通用 DRAM 和 HBM 之间维持均衡的生产比例，兼顾短期业绩与长期战略。
三星电子半导体业务负责人进一步透露，HBM4 的差异化性能已经吸引了大量客户需求，公司为 HBM4 准备的全部产能均已售罄。预计今年下半年，HBM4 的供应量将全面扩大，其销售额将在第三季度占到三星整体 HBM 销售额的一半以上，在今年全年也将占据过半比重。
在技术迭代方面，三星电子已将 1c 纳米制程的 DRAM 引入 HBM4 生产以提升产品性能。同时，下一代高带宽存储器 HBM4E（第七代 HBM）的首批样品计划于今年第二季度向主要客户供应，相关业务准备工作正在加速推进。
