国家知识产权局信息显示，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司申请一项名为 " 半导体结构的形成方法 " 的专利，公开号 CN121925109A，申请日期为 2024 年 10 月。
专利摘要显示，一种半导体结构的形成方法，包括：基底包括第一区和第二区；图形化第一核心材料层，形成第一核心层；形成第一侧墙；图形化第二核心材料层，形成第二核心层；对第二区露出的第二核心层进行改性处理，形成与剩余第二核心层具有刻蚀选择比的第三核心层；形成覆盖第二核心层和第三核心层侧壁的第二侧墙；以第二侧墙和第三核心层为掩膜图形化目标材料层，形成第一目标结构和第二目标结构，相邻第一目标结构的节距小于或等于相邻第二目标结构的节距。本发明实现了 SAQP 与 SALELE 工艺同时形成，提高图形化工艺中的设计自由度，并且还可以在不增加光罩和工艺步骤的情况下，将采用 SAQP 工艺的第一区中的部分冗余第一目标结构去除。
天眼查资料显示，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，成立于 2000 年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本 244000 万美元。通过天眼查大数据分析，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司共对外投资了 4 家企业，参与招投标项目 117 次，财产线索方面有商标信息 206 条，专利信息 5000 条，此外企业还拥有行政许可 480 个。
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作者：情报员
