值得关注的是，公司薄膜设备业务呈现爆发式增长—— LPCVD 和 ALD 等薄膜设备收入达 4.03 亿元，同比增长约 1332.69%。这一细分品类的表现尤为抢眼：从 2023 年仅收获 1 台订单，到 2024 年发货 128 台，再到 2025 年前三季度营收突破 4 亿元，中微公司的薄膜设备实现了真正意义上的 " 火箭式增长 "。
逐渐攻克技术制高点
薄膜沉积设备作为芯片制造的核心装备，尤其在 10 纳米及以下先进逻辑制程以及 3DNAND/TLC 等高端存储工艺中，对芯片结构精度、性能表现和可靠性具有决定性影响。从栅极介质层的原子级堆叠，到互连金属层的均匀覆盖，该领域技术壁垒高企，被视作半导体设备中的技术制高点。这一价值高地长期被应用材料（AMAT）、泛林半导体（LAM）和东京电子（TEL）等国际巨头牢牢占据，是国内芯片产业链中最关键的 " 卡脖子 " 环节之一。
其中，LPCVD（低压化学气相沉积）与 ALD（原子层沉积）技术凭借优异的薄膜均匀性、台阶覆盖能力和厚度控制精度，已成为先进制程中不可或缺的关键工艺装备，其性能直接影响芯片的漏电率、开关速度和存储密度等核心参数。
自 2010 年正式布局薄膜沉积设备以来，中微公司就制定了以 MOCVD 设备积累产业经验、聚焦 LPCVD/ALD 核心领域、前瞻布局集成化设备的三步走战略，构建了涵盖导体、介质、金属等多种薄膜类型的完整产品规划，累计规划开发近 40 种面向不同工艺场景的薄膜沉积设备，全面覆盖先进逻辑芯片、3D 存储及功率半导体等关键应用领域。
目前，其研发成功的 9 种核心设备中，已有 6 款在先进逻辑和存储芯片产线上通过头部客户验证，并实现超过一年的大规模稳定量产，其产品可靠性获得了最苛刻的终极认可。核心产品如 ALD 钨金属沉积设备，在关键性能参数上已达到国际领先水平，不仅实现了国产零的突破，更开始系统性地为国内晶圆厂降低采购成本、保障供应链安全。
高研发驱动 " 刻蚀 + 薄膜 " 协同创新
技术突破的背后，是远超行业平均水平的高强度研发投入。根据 2025 年前三季度财报数据，中微公司研发支出达 25.23 亿元，同比增幅 63.44%，研发费用率（研发支出占营业收入比重）攀升至 31.29%。这一比例不仅显著高于科创板半导体行业平均水平（2024 年约 15%-20%），即便对标应用材料、东京电子等全球顶级半导体设备商（研发费用率通常维持在 18%-25%），也处于前列。
研发周期方面，中微公司通过核心技术模块的复用与流程优化，将高端薄膜沉积设备的典型开发周期从行业普遍的 3-5 年压缩至 2 年以内，使其能够快速响应台积电、中芯国际、长江存储等头部晶圆厂在先进制程、3DNAND 存储工艺上的设备需求，为后续技术落地与市场突破奠定效率基础。
但高端半导体设备的市场放量，核心在于信任体系的构建与产业生态的适配，这是中微薄膜设备快速打开市场的核心逻辑。截至 2024 年底，其中微刻蚀设备已进入全球超 100 条 12 英寸及 8 英寸芯片生产线，覆盖逻辑芯片、存储芯片、功率半导体等多领域，且经过至少 3 年以上的大规模量产验证，设备稳定性与良率控制能力得到行业认可。
与此同时，中微公司通过前瞻性战略布局进一步放大市场优势。针对部分高端设备进口受限的行业现状，公司于 2023 年明确系统规划 20 余种受限设备（含 LPCVD、ALD 等关键薄膜设备）的自主研发路径，制定 "2029 年前完成核心型号攻关并实现量产 " 的目标。另外，据行业调研数据，2025 年国内晶圆厂对国产薄膜设备的采购优先级较 2023 年提升约 40%，进一步加速中微薄膜设备的市场渗透。
向 " 原子级控制 " 和定制化设备跨越
刻蚀设备下一轮首要突破方向是适配先进制程与新兴场景：在 3nm 及以下先进逻辑芯片领域，需攻克单原子层精度刻蚀、超高深宽比（90:1 以上）结构加工难题，满足 3D 晶体管架构需求；在第三代半导体领域，要突破碳化硅、氮化镓等硬脆材料的低损伤刻蚀技术，适配功率器件与射频器件量产；同时需拓展 Chiplet 先进封装中的 RedistributionLayer（RDL）刻蚀、硅通孔（TSV）刻蚀等新应用，填补细分赛道空白。
国际头部厂商凭借技术积累深度主导高端市场：应用材料（AMAT）在 3nm 及以下制程刻蚀设备市占率超 40%，其原子层刻蚀（ALE）技术已实现量产，且率先推出适配 Chiplet 封装的 TSV 刻蚀解决方案；东京电子（TEL）聚焦 3DNAND 存储领域，超高深宽比介质刻蚀设备占据全球 60% 以上份额，同时在第三代半导体刻蚀设备领域与英飞凌、意法半导体深度合作；泛林半导体（LAM）则在逻辑芯片与存储芯片刻蚀设备领域均衡布局，其 5nm 刻蚀设备已进入台积电、三星供应链。
国产厂商正加速在中高端领域突破，形成差异化竞争：中微公司是国内唯一实现 7nm 及以下先进制程刻蚀设备量产的企业，90:1 超高深宽比刻蚀设备已适配长江存储 3DNAND 产线，同时在第三代半导体刻蚀设备领域出货量领先；北方华创聚焦 28nm-14nm 成熟制程，刻蚀设备已进入中芯国际、华虹半导体量产线，且正在攻关 5nm 技术；此外，芯源微、盛美上海等厂商则从后道封装刻蚀、特殊材料刻蚀等细分赛道切入，逐步构建国产刻蚀设备生态。
