本文来源：时代周报
时代周报记者获悉，长鑫存储 4F DRAM 架构研发近期取得关键进展。该公司总裁曹堪宇博士在第四届集成芯片和芯粒大会上发表演讲，全面介绍了长鑫存储在 DRAM 器件、4F 架构及混合键合等方向的技术探索与积累，并官宣预计年底将推出融合了上述先进技术的新一代 DDR5 RDIMM 产品。
曹堪宇表示，长鑫的 4F 架构，最核心的特色是在 DRAM 存储阵列晶体管上的创新，即自研的 VSG（Vertical Surrounded Gate）晶体管。VSG 晶体管采用了垂直包围沟道结构，能实现更强栅控，解决漏电与短沟道效应痛点，同时竖立的晶体管也助力面积微缩，提升存储密度。
