当地时间 8 月 26 日，高通公司执行副总裁杜尔加 · 马拉迪（Durga Malladi）在 " 德意志银行 2026 科技大会 " 上透露：" 在最近的投资者日活动上，我介绍了 HBC 的优势以及 HBM 的不足之处后，立即前往韩国，与两家主要的内存制造商进行了会面。"
他补充道：" 起初，我以为这两家制造商会强烈反对，但实际上，他们积极主动地提出了在 HBC 项目上的合作。" 目前，这两家内存制造商正在同步推进 HBC 的研发，同时也在推进各自的 HBM 研发战略。从具体分工来看：
在 HBC 制造中，高通承担设计和系统集成的角色。它负责制造 DRAM 芯片下方的计算芯片，并提供 TSV 设计。
三星电子和 SK 海力士负责 DRAM 芯片的堆叠。他们计划与台积电合作，整合各项技术和封装工艺。
据悉，第一代 HBC 产品将于 2027 年实现商业化和出货，目前已送至高通实验室进行验证。后续该产品将集成到高通 AI 加速器 AI250 中。除此之外，搭载第二代 HBC 的 AI300 计划于 2028 年发布。
今年 6 月，高通正式发布了 HBC 技术，HBC 芯片由多个低功耗 DRAM（LPDDR）芯片垂直堆叠而成，并置于加速芯片（XPU）之上。与 HBM 类似，HBC 也采用硅通孔（TSV）工艺进行 3D 堆叠，与计算芯片和内存芯片水平连接方式相比，这种结构能够实现更高的数据传输带宽。
据高通公布的数据，完整加速器级别下，HBC 单位功耗带宽是 HBM 的 6 倍；单位功耗存储容量是静态存储 SRAM 的 200 倍。
高通执行副总裁兼数据中心负责人托尼 · 皮亚利斯（Tony Pialis）表示："GPU 和 HBM 内存不断交换数据，产生大量热量并消耗大量电力。" 他指出：" 这种方式已经无法满足 AI 模型快速增长的需求，亟需创新。" 他将 HBC 定位为能够弥补 HBM 结构性缺陷的替代方案。
海通国际证券认为，HBC 契合当前推理算力需求快速增长、HBM 供应紧张及客户关注单位 token 成本下降的大趋势；若后续性能和生态验证顺利，高通有望在对成本和功耗敏感的推理场景中建立差异化竞争力。
