据悉，这是上交所在 2026 年时隔 2 个多月再次受理的一单 IPO。
思锐智能成立于 2018 年，是一家总部位于中国，以中国和芬兰两地作为研发制造中心，服务全球客户的半导体设备公司。
公司主要从事应用于集成电路、功率器件、科研及显示器件等领域的原子层沉积设备和离子注入设备的研发、生产和销售，并提供备品备件和相关技术服务。
思锐智能是国内极少数在原子层沉积设备领域实现全球化布局并具有全球知名度的设备制造商，也是国内极少数实现离子注入设备研发制造及产业化应用的设备制造商。
思锐智能原子层沉积设备广泛应用于化合物半导体、显示器件、科研等领域，并逐步向硅基半导体领域拓展，2025 年公司原子层沉积设备在化合物半导体领域的市场占有率排名全球第三、国产厂商第一，在显示器件领域和科研领域的市场占有率均排名全球第一。
公司已形成较为完善的自主知识产权体系，截至 2026 年 6 月 30 日，公司已获授权专利 392 项，包含 111 项境内专利和 281 项境外专利，其中发明专利 355 项。
IPO 前，公司第一大股东中车四方所持有公司 16.15% 股份，第二大股东华舆国华持有公司 15.30% 股份，其他股东持股比例低于 10%。
思锐智能董事长、总经理为聂翔，1978 年出生，清华大学工商管理硕士，正高级经济师，工信部、科技部评审专家，获得国家高层次人才特殊支持计划科技领军人才、北京市 " 新国门 " 科技领军人才等荣誉。
