高盛于 7 月 28 日举办韩国存储专家网络研讨会，并于 7 月 29 日发布纪要。与会专家认为，传统 DRAM 价格今年将保持 " 两位数百分比 " 的强劲增长势头，HBM 明年存在大幅涨价甚至翻倍的空间，长期协议对市场的约束力正在增强，中国竞争对手短中期内威胁有限。高盛维持对三星电子的买入评级。
专家对今年 DRAM 价格走势给出了明确判断。
根据纪要，专家预计2026 年三季度传统 DRAM 价格将实现 " 两位数百分比 " 的环比增长，与近期现货价格的强劲反弹相吻合。进入四季度，受持续供应短缺支撑，专家认为 " 再度实现两位数环比增长 " 同样存在可能。
他们认为，供给端没有明显放量，需求端 AI 服务器持续拉动，价格自然易涨难跌。
HBM 的故事更为激进。专家认为，由于传统 DRAM 价格上涨，HBM 定价明年 " 存在翻倍的可能性 "。高盛自身的预测是：三星 HBM 价格 2027 年同比涨幅将达 87%，这一数字已高于彭博汇总的卖方一致预期 52%。
长协绑定力增强，超半数服务器 DRAM 已锁定
价格能否兑现，取决于合同能否守住。
根据纪要，专家指出，长期协议（LTA）包含多项强约束条款：大额预付款、" 要么提货要么付款 "（take-or-pay）条款，以及取消合同的违约金。这意味着买方一旦签约，退出成本极高。
目前，超过半数的服务器 DRAM 已被 LTA 覆盖，专家预计这一比例未来还将继续提升。
这对存储厂商意味着什么？收入能见度更高，价格谈判筹码更强。高盛在投资论点中也明确指出，与过去相比，此轮 LTA 的约束力度更强，有助于支撑三星的盈利预期。
中国厂商短中期难成威胁
市场一直担忧中国存储厂商的扩产冲击，但专家对此持保留态度。
根据纪要，专家承认中国供应商正在积极扩产，但认为其 " 在近中期内成为领先厂商明显威胁的可能性较低 "。原因在于，中国厂商在生产良率、技术水平等方面与头部玩家仍存在差距。
换言之，扩产规模不等于有效供给，技术壁垒短期内难以逾越。
产能扩张加速，但有效位增长受限
产能在扩，但实际供给增量并不对等。
根据纪要，专家预计今年产能扩张速度将强于历史水平。然而，由于 HBM 占用晶圆比例（trade ratio）较高——生产同等数量的 HBM 需要消耗更多 DRAM 晶圆——实际位（bit）增长预计将低于历史平均水平。
这是理解当前供需格局的关键：表面上产能在扩，实际上可用于传统 DRAM 的有效供给并未同步增加，这正是支撑价格持续上涨的结构性原因。
混合键合技术：渐进式推进，非跨越式突破
HBM 技术路线上，混合键合（hybrid bonding）被视为下一代方向，但专家对其落地节奏持审慎态度。
根据纪要，专家认为，随着 DRAM 芯片堆叠层数增加，现有键合技术将面临越来越大的挑战。但与此同时，专家并不预期混合键合会被提前大规模采用，原因是 " 在量产规模下实现足够良率需要相当长的时间和努力 "。
专家判断，存储厂商将探索包括无助焊剂键合（fluxless bonding）在内的多种技术路径，同时逐步推进混合键合的导入，而非一步到位。
在上述判断基础上，高盛维持对三星电子普通股的买入评级，12 个月目标价为 48 万韩元，优先股目标价为 36 万韩元。
报告指出，三星在 HBM 领域已开始展现出 " 有实质意义的进展 "，叠加更高的股东回报预期，对该股维持积极看法。主要下行风险包括：存储供需大幅恶化、智能手机业务利润率急剧收缩，以及移动 OLED 市场份额流失。
