【太平洋科技快讯】据报道，6 月 25 日，三星、SK 海力士、美光三家存储龙头企业在美国加州联邦法院遭遇集体诉讼，原告指控三家厂商串通操控 DRAM 定价，人为推高内存产品价格。
诉状阐述了产能挤压的核心逻辑：HBM 芯片晶圆占用面积远高于普通 DDR 芯片，单颗 HBM3E 芯片所需晶圆面积约为 DDR 产品两倍，量产 HBM 会大量消耗晶圆产能。数据显示，2026 年 HBM 将占用全球 25% 的 DRAM 晶圆产能，且 HBM 市场需求年增速达 70%；全年 DRAM 总晶圆产能预计提升 14%，但传统 DDR 内存分配产能仅增长 10%，产能分配差值直接造成消费级内存供货缺口。
原告方表示，三家厂商完全有条件同步扩充传统 DRAM 产能平衡市场供给，却集体倾斜产能投向盈利空间更高的 HBM 产品，构成协同减产、操纵市价行为。 受该行为影响，近四年 DRAM 价格涨幅接近 700%，苹果上调 Mac、iPad全系产品售价 ( 详情可查看此前太平洋科技的报道内容：《库克口中百年一遇芯片危机来袭！苹果上调 Mac、iPad 等产品售价，iPhone 未涨价》 ) ，成为存储涨价向下游终端传导的典型案例，也被纳入本次诉讼关键事实依据。
诉状还提及三家企业过往反垄断处罚记录：2005 年三星因参与 DRAM 价格操纵，向美国司法部认罪并缴纳 3 亿美元罚金，为美国反垄断史上第二笔高额罚金；同年 SK 海力士认罪罚款 1.85 亿美元，叠加尔必达罚金，该案总处罚金额达 7.31 亿美元，多名企业相关高管被判监禁。原告认为，三家企业如今只是沿用当年协同控产、调控报价的手段，只是以 "HBM 产能转型 " 作为新说辞。
长期来看，HBM 持续挤占传统 DRAM 晶圆产能的趋势难以逆转，三大厂商把持 HBM 市场形成寡头格局，依旧掌握产能分配主导权，本次诉讼能否调整全球存储市场供需与定价格局，后续仍有待观察。
