国家知识产权局信息显示，长江存储控股股份有限公司申请一项名为 " 半导体结构及其制备方法、存储系统、电子设备 " 的专利，公开号 CN121985532A，申请日期为 2024 年 10 月。
专利摘要显示，本公开提供了一种半导体结构及其制备方法、存储系统、电子设备，涉及半导体芯片技术领域，旨在解决半导体结构尺寸微缩遇到瓶颈的问题。该半导体结构包括电容结构和多个第一沟道结构。多个第一沟道结构沿第一方向层叠设置。电容结构包括多个第一电极结构和第二电极结构以及第一介电层，多个第一电极结构沿第一方向层叠设置，且一个第一电极结构与一个第一沟道结构连接，第二电极结构包括第一子部和多个第二子部，多个第二子部与多个第一电极结构沿第一方向交替层叠设置，第一子部连接多个第二子部，第一介电层位于第一电极结构和第二电极结构之间。通过上述设置，无需在相邻第一电极结构之间额外设置隔离层，有利于半导体结构沿第一方向微缩。
天眼查资料显示，长江存储控股股份有限公司，成立于 2016 年，位于武汉市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本 1782000 万人民币。通过天眼查大数据分析，长江存储控股股份有限公司共对外投资了 7 家企业，参与招投标项目 3 次，专利信息 49 条，此外企业还拥有行政许可 4 个。
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作者：情报员
