4 月 29 日，斯达半导（603290）披露 2025 年年度报告。报告期内，公司全年研发投入达 4.82 亿元，同比增长 35.94%，占营业收入比例 12.00%。过去五年，公司研发投入复合增长率为 34.32%。
研发投入变化背后，公司围绕核心技术攻关方向持续优化资源配置，为各项技术研发及产品落地提供充足支撑。
财报显示，报告期内公司依托深厚技术积淀，充分发挥 "Fabless+IDM 双轮驱动 " 业务模式优势，同步推动驱动 IC、工业级及车规级 MCU 芯片与现有功率半导体业务深度协同融合。核心技术迭代方面，公司自主第七代微沟槽 TrenchFieldStop 技术相关 750V、1200V IGBT 模块持续放量，Plus 版芯片已在多款主流 800V 高压双电控平台实现大批量交付；成功研发国际领先的 1.2 μ m Pitch 的第八代微沟槽 IGBT 芯片，结合第二代 1400V SiC MOSFET 芯片平台，发布了全球首个光伏地面电站组串式 2000V 系统的 500KW 逆变器功率模块解决方案。车规级产品研发进展顺利，第二代车规级 SiC MOSFET 芯片实现大批量出货，自建 6 英寸 SiC 芯片产线良率达到国际领先水平，车规级 GaN HEMT 模块获得主电机控制器平台定点，主频 320MHz 车规级 MCU 产品满足 ISO26262 ASIL-D 认证要求，预计 2026 年底实现小批量供货，PCB 嵌入式功率模块已完成多轮车规级可靠性验证，预计 2026 年底在头部车企实现量产交付。此外，工业级 MCU 芯片已流片成功并在国内多家工控头部客户开展试用，变频白色家电领域不断丰富 IGBT 模块、分立器件、IPM、MCU、栅极驱动芯片等产品矩阵，可为客户提供全功率段全套电控解决方案。
年报信息显示，该公司是一家国内领先的功率半导体供应商，核心产品覆盖 IGBT、SiC/GaN 宽禁带半导体、MCU、驱动 IC、IPM 等多品类，下游核心应用场景包括新能源汽车、新能源发电及储能、工业控制、变频白色家电，同时积极开拓 AI 服务器电源、数据中心、工业机器人、低空 / 高空飞行器等新兴应用领域，持续拓展产品应用边界。
2025 年，公司实现营业总收入 40.12 亿元，同比增长 18.34%；归母净利润 4.05 亿元，同比下滑 20.18%；扣非净利润 3.77 亿元，同比下滑 22.61%；拟向全体股东每 10 股派现 5.08 元（含税）。
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本文源自：市场资讯
作者：智研
