国家知识产权局信息显示，珠海格力电子元器件有限公司申请一项名为 "MOSFET 功率器件及其制备方法 " 的专利，公开号 CN121751703A，申请日期为 2025 年 12 月。
专利摘要显示，本申请公开了一种 MOSFET 功率器件及其制备方法。MOSFET 功率器件包括：位于沟槽中的屏蔽栅和第一隔离介质层，屏蔽栅包括第一部分和第二部分，第一部分位于沟槽的底部，第一隔离介质层位于沟槽中以及第一部分背离衬底的一侧；栅极，位于第一隔离介质层沿第一方向的两侧，且在第一方向上栅极的宽度小于屏蔽栅的宽度，第一方向垂直于沟槽的延伸方向；氧化层，位于沟槽中，且一部分氧化层包裹屏蔽栅，第二部分贯穿第一隔离介质层和氧化层并与第一部分接触，另一部分氧化层位于栅极与延伸段的侧壁之间。本申请解决了相关技术中 MOSFET 功率器件难以实现优化耐压能力、栅漏电容、开关速度等性能与降低制造成本之间平衡的问题。
天眼查资料显示，珠海格力电子元器件有限公司，成立于 2022 年，位于珠海市，是一家以从事批发业为主的企业。企业注册资本 10000 万人民币。通过天眼查大数据分析，珠海格力电子元器件有限公司参与招投标项目 31 次，专利信息 254 条，此外企业还拥有行政许可 108 个。
