国家知识产权局信息显示，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司申请一项名为 " 一种半导体结构及其形成方法 " 的专利，公开号 CN121751734A，申请日期为 2024 年 9 月。
专利摘要显示，本公开提供一种半导体结构及其形成方法，半导体结构形成方法包括：提供基底结构，所述基底结构包括垂直堆叠的第一器件区域和第二器件区域，所述第一器件区域内具有垂直分立的多个第一器件和包围所述第一器件的多个第一牺牲层，所述第二器件区域内具有垂直分立的多个第二器件和包围所述第二器件的多个第二牺牲层；去除所述第一牺牲层，在所述第一器件区域和第二器件区域内填充第一功函数材料；去除所述第二器件区域内的第一功函数材料，形成包围所述第一器件的第一栅极结构；去除所述第二牺牲层，在所述第二器件区域内填充第二功函数材料，形成包围所述第二器件的第二栅极结构。本公开提供的半导体结构形成方法提高了半导体结构的稳定性。
天眼查资料显示，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，成立于 2000 年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本 244000 万美元。通过天眼查大数据分析，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司共对外投资了 4 家企业，参与招投标项目 116 次，财产线索方面有商标信息 153 条，专利信息 5000 条，此外企业还拥有行政许可 447 个。
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作者：情报员
