苏姿丰终于决定开启首次访韩之旅。
据韩媒《每日经济新闻》报道，美国超威半导体公司（AMD）董事长兼首席执行官苏姿丰将于 3 月 18 日访韩，并会见三星电子会长李在镕和韩国搜索引擎大厂 Naver 公司高层。这是苏姿丰 2014 年上任以来首次。
有意思的是，苏姿丰访韩的时间点，选在了英伟达每年最重要的 GTC 大会期间，芯片巨头隔空对垒再次复现，双方恐怕又要在同一时段抢占媒体头条和热点话题了。
当然，这背后更显现的是，存储芯片超级周期的又一信号。
如今，AI 芯片领域竞争愈发白热化，以韩国三星、SK 海力士为代表的存储巨头愈发成为供应链上的关键节点。
就连英伟达 CEO 黄仁勋，上个月都热情宴请 SK 海力士工程师，亲自敬酒以保供应，苏姿丰此次访韩就显得更加意味深长。
AI 来了，存储从 " 周期 " 走向 " 超级周期 "
苏姿丰内心想必很清楚，若 AMD 无法提前锁定最新一代 HBM4 的稳定供应，公司很可能将在与英伟达 GPU，以及，强势崛起的 ASIC 芯片的竞争中持续处于下风。
近年来，AI 热潮持续冲击着半导体产业链，其中，存储是受影响最大的领域。
尤其是 DRAM（动态随机存取存储器）领域的高带宽内存（HBM），其通过与 GPU 紧密封装实现超高带宽，对于大模型训练至关重要。
以往，存储行业的周期大致在 3 年左右，但 AI 对算力看起来近乎无限的需求，完全打破了这一节奏。
2025 年，以微软、谷歌、亚马逊、Meta 等大型云厂商为代表的科技巨头，已经以超 4000 亿美元的大规模资本开支（Capex）极大拉动了算力硬件产业链需求，到了 2026 年，相关资本开支还会继续增长到 6500 亿美元的惊人水平。受此影响，产业链需求继续高增。
高盛预计，2026 年，全球 HBM 需求将同比增长 76%。相关报告还指出，AI 服务器对内存的消耗是传统服务器的 8 倍以上，这种结构性变化，使得存储需求完全脱离了传统的经济周期。
而在供给侧，为了满足激增的 HBM 订单，三星、SK 海力士和美光科技三大巨头，不得不将大量原本用于生产通用 DRAM 的晶圆产能转向 HBM，其他存储技术如 NAND 等产能，也全线告急，这导致产业链价格狂飙。
在 " 挤压效应 " 和 " 涨价潮 " 的双重影响下，使用通用存储芯片的手机、电脑等产品成本骤增，只能纷纷涨价。
HBM 却无法仅靠短期扩产满足需求。此前，美光科技移动与客户端业务部门营销副总裁克里斯托弗 · 摩尔（Christopher Moore）表示，该领域市场的供需结构已彻底被重构，尽管行业已启动巨额投资扩产，但新建晶圆厂本就需要数年周期，且 AI 对技术、良率要求极高，产品投产后，还需经历漫长的客户认证和设备调试，让产能释放的时间进一步拉长。
摩尔还表示，目前存储产线因客户对 8GB、12GB、16GB 等多容量规格的并行需求而频繁切换，影响了提产效率，预计产能短缺问题至少将持续至 2028 年。
去年以来，多家研究机构报告指出，存储带宽或将在一段时间内，成为制约 GPU 性能释放的最大瓶颈之一。
激战 HBM4，三星、SK 海力士纷纷出手
美国芯片巨头与韩国存储巨头间错综复杂的关系，对各自公司的发展前景和行业格局有至关重要的影响。
曾经，三星在芯片领域的优势远超 SK 海力士，但正是在这轮 AI 浪潮中，随着英伟达的崛起，局面发生了变化。
韩国记者李德周在《英伟达之道》一书中，曾介绍过 SK 海力士 " 逆袭 " 的历程。
SK 海力士与三星均在 2013 年左右开始开发 HBM，2015 年起向英伟达供货。然而，在 2022 年底，在 ChatGPT 引爆这波生成式 AI 浪潮之前，三星内部判断，AI 市场有限，未像 SK 海力士那样积极投入 HBM 的研发与产能，也错过了与英伟达建立更紧密合作的机会。
反观 SK 海力士，凭借更高的良率、更充足的产能和更快的迭代速度，持续为英伟达每一代新产品供应 HBM，公司销售额和股价双双飙升，整个 2025 年营业利润已历史首次超越三星。
在很长一段时间内，英伟达的 HBM 第二顺位供应商是美光科技，直到去年底，三星才有明显起色。
但在目前 HBM4 的迭代中，局面又开始洗牌，各家公司开启了新一轮竞争。
2 月中旬，三星宣布率先向英伟达出货了首批 HBM4 产品，是行业首家，同时计划在 5 月实现大规模供货。
另一边，SK 海力士的进度也较为近似，而且在良率等指标上可能仍有优势。
从目前披露的信息来看，英伟达新一代 Rubin 架构中，约 60-70% 的 HBM4 订单可能仍会花落 SK 海力士。也正因为英伟达和 SK 海力士愈发深厚绑定，三星和 AMD 等 " 追赶者 " 也加紧了互相合作，以求提升自身竞争力。
与此同时，美光科技在 HBM4 上的性能和产能进度上并不理想，新技术迭代处于落后。
多家分析机构认为，HBM4 的竞争将主要集中在韩系两巨头之间。
实际上，存储行业格局的巨变，正是 AI 的快速发展，促使很多格局固化已久产业重新洗牌的结果之一。
以往，被视为 " 老成持重 " 的三星，目前在 HMB4 和新一代技术方面颇为激进，而后来者 SK 海力士，风格则趋向稳健，注重保持性能与可靠性的平衡。
另外，值得注意的是，标准化 HBM4 的竞争尚未结束，下一代定制化产品 HBM4E 的战火已经燃起，推理需求、定制化芯片更加与这一趋势相关。
为了争夺推理、定制化市场，芯片厂商希望，将特定逻辑功能集成到 HBM 的基础芯片中，以进一步优化性能、降低延迟和功耗，这对存储厂商逻辑设计与先进封装的能力提出了新要求。
三星目前已组建专门团队，计划在今年中完成定制 HBM4E 设计，并考虑采用自研 2nm 工艺以求突破。SK 海力士和美光，则继续深度绑定台积电的先进制程生态，逐步加码 HBM4E 产能。
国产存储崛起，谁在抢跑 HBM 赛道？
中国国产芯片自然不会错过这股热潮，已经有强势崛起之势。
虽然国产存储在高精尖的 HBM 领域仍面临较多阻碍，难以短期内追赶国际领先，但在通用存储领域，不少厂商已取得可观进展。
其中，当前最引人注目的当属长鑫存储。
长鑫存储是国内市占第一的 DRAM 芯片设计制造商，主要为移动设备、服务器和消费电子等领域提供内存解决方案。近年来，长鑫存储发展速度逐步提升，全球产能占比已超过 4%，是 " 芯片国产替代潮 " 中的重要力量之一。
而且，长鑫存储与国际领先水平的技术差距正在缩小。长鑫存储近期已启动 HBM3 样品送测，并交付给国内头部客户进行验证，计划今年起全面量产。
长鑫存储已经计划走向资本市场。去年末，该公司已正式向上交所递交招股书，拟在科创板挂牌上市，计划募资 295 亿元，主要用于存储器晶圆制造量产线技术升级改造项目、DRAM 存储器技术升级项目、动态随机存取存储器前瞻技术研究与开发项目。
长鑫存储募资额是科创板创立以来的历史第二高，仅次于另一大国产芯片巨头中芯国际的 532.3 亿元。市场对其上市估值的预测也高达 1500 亿元，可能又将引领一次 IPO 狂欢。大笔融资和资本市场的反馈，也有望继续推动该公司发展提速，紧追国际领先水平。
此外，主攻 3D NAND 闪存的长江存储也已经崭露头角。
长江存储主要业务集中在消费级 SSD 和嵌入式存储市场，在全球 3D NAND 闪存市场中已稳居第一梯队。目前也正处于产能快速扩张期。
此外，佰维存储、宏芯宇电子、江波龙等国产存储厂商，都迎来了自身的业务高增长期。星辰天合、芯天下等初创公司，在存储超级周期中受到市场重视，开启了增产开拓市场和冲刺 IPO 融资之旅。
不过，应该看到的是，在核心工艺、先进封装等尚存技术难关，且全球中、美芯片生态链出现隔离、分化趋势的背景下，国产 HBM 的突破很难一蹴而就。未来，除了单点的技术攻关、突破瓶颈外，产业链协同也显得尤其重要。
尤其在国产芯片替代潮涌，AI 算力整体需求爆发，政策和资本支持逐步加码，创新动能持续涌现的情况下，国产设备、材料、设计、制造、封测整个链条能实现协同攻关，将更有利于赶上先进技术的迭代步伐。（作者｜胡珈萌，编辑｜李程程）
