来源：新浪证券
11 月 11 日讯，全球碳化硅产业向大尺寸晶圆演进再获重要进展。英飞凌近日宣布，成功在 300mm（12 英寸）碳化硅晶圆上制造出功能性功率器件，成为全球首家在全规模半导体晶圆厂环境中实现该技术突破的企业。这是继天岳先进 2024 年 11 月发布 300mm N 型碳化硅衬底后，产业链协同攻关后的又一重大历史突破，为碳化硅功率器件的广泛应用，提供了有力保障。12 英寸晶圆是 8 英寸晶圆面积的 2.25 倍，可以共享 12 英寸芯片的先进制程，有效降低碳化硅芯片成本。
业内认为，随着国际功率半导体厂商加快布局大尺寸碳化硅器件制造，上游衬底材料企业在晶体生长、晶圆加工及产品良率等方面的技术能力将成为产业竞争的重要因素，大尺寸碳化硅衬底的产业化价值有望进一步提升。
