今日，长鑫科技（688825.SH）在 2026 世界制造业大会上正式发布第五代 DRAM 技术平台（以下简称 "G5 平台 "），同步展出了基于该平台打造的大容量 LPDDR5X 新品。
该公司副总裁骆晓东在大会开幕式上表示，目前基于该平台打造的产品已经正式量产，并全面进入国产主流旗舰手机市场。此外，长鑫科技 8 月底刚刚宣布量产的 LPDDR6 也在本次大会上首次亮相，引起广泛关注。
骆晓东在开幕式上介绍，G5 平台依托创新的四重曝光技术把内存阵列的有源区半间距微缩至 11.95 纳米，接近全球最顶尖的内存量产平台制程。通过变革工艺流程、采用新材料，存储电容深宽比达 45:1。开发适配 DRAM 工艺的高介电常数金属栅（HKMG）工艺，成功将 G5 平台核心功能区高度缩小到 6762 纳米。" 我们在第五代平台的研发过程中，引入了 AI 大模型和全流程数字孪生仿真技术，大幅提升了研发效率。"
在性能方面，G5 微缩工艺的突破推动存储密度实现跨越式提升：每片晶圆产出裸片数量较第四代平台提升至少 50%，在产品能效、成本控制上均具备显著优势。
本次大会同步展出了两款基于 G5 平台打造的 LPDDR5X 量产产品，单颗容量均为 24Gb，较上一代同类型产品提升 50%，分别采用 496Ball、245Ball 封装规格，可适配中高端智能手机、便携式消费电子等不同场景需求，目前均已进入规模量产阶段。
财联社记者在展会现场注意到，长鑫科技展台前已经围绕多名观众。据工作人员介绍，LPDDR5X 新品即第五代超低功耗双倍数据速率同步动态随机存储器，应用场景主要包括智能手机、可穿戴设备、平板电脑等移动设备。
在优势方面，该产品依托长鑫最新自研第五代技术平台，核心性能全维度升级。据介绍，目前公司已推出两类封装规格，率先适配智能手机场景，并将持续迭代丰富产品矩阵，覆盖更广泛终端应用需求。
长鑫科技近年来技术升级飞速。
骆晓东在会上表示：" 在 2019 年的世界制造业大会上，公司正式官宣了第一代技术平台 DDR4 内存芯片投产。之前 DRAM 产品长期被海外垄断，我们推出了国内首颗自主研发的 DRAM 内存芯片。此后，我们完成从第一代到第四代技术平台的迭代，产品也从 DDR4 不断升级，并实现 DDR5 的量产。公司近期刚和小米宣布全球首发量产先进的低功耗存储器，公司研发生产水平已跻身全球前列。"
8 月底，长鑫科技 LPDDR6 将落地小米玄戒 O3 芯片的消息引起市场广泛关注。长鑫科技方面告诉财联社记者，公司的 LPDDR6 已经实现量产，并将首批搭载于小米 18 Fold 折叠旗舰手机。
据悉，这是中国存储企业首次在高端内存标准上实现全球首发量产，最高传输速率达 12800Mbps，较上一代 LPDDR5X 提升速率约 20%，功耗降低 20%，通过设计、工艺等方面创新，大幅提升产品可靠性与性能。
LPDDR6 芯片本次亦随 LPDDR5X 一同展出，这是 LPDDR6 芯片的首次公开展出，引起观众围观。
此外，在展会现场，长鑫科技同时展示了全球首款中兴通讯与字节跳动联合研发的 AI 智能体手机，即 " 豆包手机 "。
据长鑫存储官方微博发布的消息，努比亚 NaviXUltra 搭载长鑫最高速率 10667Mbps 的 LPDDR5X 内存。这是国产 10667Mbps 高速率 LPDDR5X 芯片首次量产应用。
