据媒体当地时间周五援引业内消息报道，美光计划到 2026 年底将 HBM 月产能提升至约 10 万片晶圆，较 2025 年每月约 4 万至 5 万片的水平接近翻倍；同时将显著提高面向英伟达 Vera Rubin 平台的 12 层 HBM4 产出。
若目标达成，美光与韩国同业的规模差距将明显收窄，但两家韩企的制造体量仍大幅领先。
报道称，美光已向 HBM 设备供应商追加采购订单，新设备正在其中国台湾与新加坡的生产基地安装。
HBM4 占比翻倍
据报道，美光的 HBM 产出目前仍以 12 层 HBM3E 为主，但 12 层 HBM4 的占比预计将从 2026 年初的约 20% — 30%，提升至年底的最高 50%。
根据美光 3 月 17 日发布的官方新闻稿，专为英伟达 Vera Rubin GPU 设计的 HBM4 36GB 12 层产品已于 2026 年第一季度开始量产出货，能效较上一代 HBM3E 提升逾 20%；公司同时已向客户送样 48GB 16 层 HBM4。
美光首席执行官 Sanjay Mehrotra 今年 6 月表示，HBM4 的产能爬坡速度约为 12 层 HBM3E 的两倍，累计 HBM4 出货收入已突破 10 亿美元。
报道指出，由于这批 HBM4 产品几乎高度绑定英伟达的下一代 AI 加速器平台，新增产能能否被消化，很大程度上取决于英伟达的出货节奏。
缩小产能差距
从制造规模看，美光仍是三大 HBM 供应商中最小的一家。
媒体援引行业估算显示，三星电子与 SK 海力士当前的 HBM 月产能均在 15 万至 20 万片之间，而美光的目标是到 2026 年底达到 10 万片。
若美光的目标如期落地，其与两家韩企的产能差距有望收窄至此前的约一半。
市场份额格局则比产能数据更为均衡。
据市场研究机构 Counterpoint Research 估算，2026 年第二季度全球 HBM 份额为 SK 海力士 50%、三星电子 32%、美光 18%。
美光的扩产也印证了 HBM 供应持续紧张。AI 加速器厂商对堆叠存储的消耗量不断攀升，可用产能成为制约供应商出货与变现能力的核心因素。
