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财联社-深度 16分钟前

高盛顶级专家解读内存多空争论:涨价持续至 2027 年中 涨势却在放缓

【高盛顶级专家解读内存多空争论:涨价持续至 2027 年中 涨势却在放缓】财联社 8 月 11 日电,高盛顶级科技专家 Sean Johnstone 在一份报告中指出, 市场正在争论内存价格的上涨空间。多头一派认为,HBM 和 DRAM 订单已排期到 2027 年,长期协议设定了价格底线,这代表着内存仍有 70% 至 80% 的利润空间。空头则分析称,内存价格的 " 二阶导数 " 已经转负,意味着内存上涨的速度放缓,可能在明年第二季度或者第三季度达到峰值,并在晚些时候转向小幅下跌。此外,内存行业高达 80% 的利润率正在促使客户重新设计其芯片,这可能影响内存的供需平衡。

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