6 月 25 日，A 股高带宽内存（HBM）概念板块放量走强。东方财富 Choice 数据显示，截至收盘，高带宽内存板块指数报 3486.819 点，涨幅达 2%，成交 190.00 亿元，换手率 1.31%。板块个股中，中科飞测报 331.83 元涨 6.24%，香农芯创报 305.99 元涨 5.66%，盛美上海报 422.80 元涨 5.13%，华海诚科报 155.00 元涨 5.11%，飞凯材料报 57.26 元涨 4.68%。
存储芯片板块整体同样表现突出。午后存储芯片概念持续走强，北京君正 20cm 涨停并创历史新高，中微半导、太极实业亦涨停，佰维存储、华新科技涨幅超 10%，德明利、江波龙等跟涨。板块覆盖存储设计、存储封测、存储模组、芯片分销全细分环节联动走强。
消息面上，存储现货价格持续上行。一季度 DRAM 合约价环比涨幅近 100%，NAND 闪存环比涨 85% – 90%，二季度涨价趋势延续，上游原厂定价权稳固。美光科技在财报沟通会上判断，全球存储供不应求格局至少延续至 2027 年。
HBM 这种通过 TSV 堆叠技术将多个 DRAM 芯片垂直整合的高带宽内存，为何突然成为 AI 算力产业链上最炙手可热的细分赛道？
HBM 价格面临 " 补涨 "
存储芯片的价格涨幅，已经超出了绝大多数人的预期。
DRAM 价格从 2025 年三季度到 2026 年二季度涨了约 4.5 倍。市场研究机构 Sigmaintell（群智咨询）最新报告显示，2026 年第二季度消费性 DRAM 与 NAND 价格全面走高，LPDDR5X 12GB 内存颗粒价格较第一季度大涨 89%，LPDDR4X 4GB 上涨 75%，SSD 均价上涨约 50%，UFS 闪存涨幅最高达 100%。
而 HBM 因为绑定年度长协，价格几乎没有变动。伯恩斯坦亚洲科技团队测算，2026 年把产能分配给普通 DRAM，每片晶圆产生的营收是 HBM 的 2 倍以上，毛利接近 3 倍。三星和美光在 2026 年一季度的财报电话会上已明确表态：非 HBM 的 DRAM 利润率已经超过了 HBM。
这一扭曲的价格结构，正在迫使 HBM 价格大幅补涨。对于下半年，机构的分歧在于 " 涨多少 " 而非 " 涨不涨 "。
伯恩斯坦综合判断：2027 年 HBM 价格全年平均上涨 2 至 2.5 倍。即便如此，HBM 的盈利水平仍将低于普通 DRAM，只是差距会比 2026 年大幅收窄。高盛预计 HBM 平均售价（ASP）相较于传统 DRAM 实现 " 追赶 " 效应，有望推动其在 2027 财年实现约 50% 的同比增幅。瑞银也将 HBM 平均售价预测上调，预计 2027 年 HBM4 和 HBM3E 的均价将同比上涨 30%。华泰证券指出，HBM 下半年采购成本或再涨超 50%。
三大巨头均进入 HBM4 量产阶段
涨价的根源在供给端，目前 HBM 的产能已被 " 锁死 "。
数据显示，2025 年 HBM 缺口率达 45%，2026 年依旧维持 43.5% 的高位。机构测算显示，2026 年全球 DRAM 供需缺口约 7%、HBM 缺口约 6%、NAND 缺口约 5%，且紧缺态势持续加剧，2027 年 DRAM、HBM 缺口将扩大至 9%。
生产 HBM 所需晶圆产能约为传统 DRAM 的 3 至 4 倍。三大原厂已将 70% 的新增产线倾斜至 HBM，但产能缺口依然高达 50% 至 60%。高盛预计 2026 年至 2030 年间，三大原厂约 30% 的可用产能将被 HBM 产品占用。
另据韩媒报道，三星电子近期已将约 7.5 万片晶圆（占其每月 15 万片 HBM DRAM 晶圆投入量的一半）用于 HBM4 的生产，剩余一半则用于生产第五代 HBM3E 12 层产品 **。12Hi HBM3E 是三星当前的出货主力，HBM4 则服务于已量产的 NVIDIA Rubin GPU 等新一代 AI 芯片。在 HBM3/HBM3E 时期受挫之后，三星电子在 HBM4 上奋起直追，业界率先实现量产。
美光科技同样加速追赶。公司表示，HBM4 12 层产品的量产爬坡速度是 HBM3E 12 层版本的两倍，已累计交付超过 10 亿美元的 HBM4 收入。
本月初，黄仁勋在首尔首次确认，三星电子、SK 海力士和美光科技均已通过 HBM4 认证，将为下一代 AI 平台 Vera Rubin 供应 HBM4。三家巨头均进入量产阶段，正全力排产保障 Vera Rubin 平台的供货需求。摩根士丹利指出，从 HBM3E 到 HBM4、再到 Rubin Ultra 用的 HBM4e，单柜的内存价值量增幅在四倍以上。
也正因如此，HBM 的市场空间正以指数级速度扩张。
高盛预计 HBM 市场规模将从 2026 年的 560 亿美元，增长至 2027 年的 1160 亿美元，并在 2028 年进一步扩大至 1680 亿美元。高盛认为，到 2027 年传统 DRAM、NAND 和 HBM 的供需状况都将较 2026 年更为紧张，且这种紧张态势将持续至 2028 年。
价格补涨传导仍存不确定性
下游云厂商的行动进一步锁死了供给弹性。
亚马逊、微软、谷歌及国内头部云厂商已签订 3 至 5 年长期协议，锁定 2026 至 2028 年 HBM、DRAM 及大容量硬盘产能。杰富瑞报告指出，云服务商已与存储厂商签署两年期长期供货协议，并支付约 40% 的预付款。这些长期协议目前占用约 50% 的行业产能，未来可能升至 70%。
分析人士指出，长期协议使存储厂商获得超过三年的需求能见度，有助于抑制价格剧烈波动、支撑利润率稳定。但也意味着，即便价格继续上涨，可售给现货市场的产能越来越少，进一步加剧了现货市场的供需失衡。
不过，HBM 价格补涨的传导链条仍然存在不确定性。券商研报指出，HBM 封装在英伟达 GPU 里一起销售。伯恩斯坦测算，若英伟达要维持 75% 毛利率不变，HBM 涨价部分需要放大 4 倍去定价，机柜售价涨幅需达 24%。云厂商的 AI 资本开支可能因此需要比原先高出约 30%。这一传导链条能否顺畅，将直接影响 HBM 涨价的最终落地。
此外，HBM4 量产时程曾因 NVIDIA 调升规格而推迟。存储芯片涉及先进制程设备和材料进口，地缘政治变动可能影响国内存储厂商的扩产节奏。
（责任编辑：董映颉 HO013）
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