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财联社-深度 48分钟前

存储市场罕见错位!产能排到 2029,消费级却涨不动了

《科创板日报》11 月 11 日讯(记者 陈俊清) 存储市场正呈现出一种并不常见的错位。

向上看,全球主要原厂的产能排期已卖到了 2029 年。SK 海力士在季度财报会上称,DRAM 与 HBM 产能近乎售罄,客户申报的采购需求达到现有供给能力的两倍以上;三星 2027 年的 HBM 供应谈判已经完成,产能也已全部售罄。

向下看,消费级存储的部分品类却上涨动能较弱,通用型 MLC NAND 10 月合约均价环比持平,有原厂判断 NAND 价格的上涨趋势可能在其下一财年停止。

《科创板日报》记者注意到,同一条产业链的两端,一边是排到三年之后的订单,一边是逐季转弱的终端需求。业内人士表示,本轮涨价并非一次全面普涨,而是一场沿着算力密度重新分配的结构性紧缺,而让紧缺从几个季度拉长到几年的,是原厂与客户之间正在迅速铺开的长期供货协议。

▍合约价续创新高 企业级与消费级走势分化

企业级一侧,云厂商与服务器客户的采购仍在加码,锁产能、签长约成为主流动作。消费级一侧,手机、PC 与零售渠道的需求相对平淡,下游备货谨慎。

从价格表现看,通用型 DRAM 仍在刷新历史高位。据集邦咨询旗下 DRAMeXchange 统计,2026 年 10 月,DDR 8Gb(1Gx8)平均合约价达到 27.5 美元,较 9 月的 26 美元环比上涨 5.77%。面向第四季度,机构对合约价的判断仍维持双位数上涨,且企业级 SSD 成为本轮涨幅扩大的核心品类。

与企业级市场的强势形成对照,消费级 NAND 的涨价动力已减弱。

DRAMeXchange 的 10 月合约价统计显示,通用型 MLC NAND(128Gb)均价环比持平,结束此前连续 21 个月的上涨。 SLC NAND 仍有 5% 至 10% 的结构性上涨。日本原厂铠侠认为 NAND 价格的上涨趋势可能在 2027 财年停止,其 NAND 平均售价环比涨幅已从 2026 年第二季度的约 70% 降至第三季度的约 20%。

行业观点认为,这轮涨价的高度还在上移,但宽度在收窄。价格上行集中在与算力相关的品类,而不是全产业链的通胀,企业级与消费级的不同处境。

涨价根源仍然在于原厂的产能配置发生了结构性位移。三星、SK 海力士、美光等厂商将先进产能优先投向 HBM、服务器 DDR5 和企业级 QLC SSD,传统消费级 DRAM 与部分 NAND 的供给因此被间接压缩。

有业内人士向《科创板日报》记者表示,原厂把有限产能留给长期合同客户和高附加值产品,导致通用供给被持续压缩。海外原厂认为后续年份供需紧张程度会明显上升,并把部分云厂商的供货协议延伸到更远年度,本质上是用长期协议锁定产能、平滑资本开支风险,同时把涨价预期转化为可执行的合同条款。

此趋势仍在加深。三星预计,HBM 占行业 DRAM 产能的比重将从目前的约 20% 升至 2027 年的近 30%。换言之,未来两年通用 DRAM 能够获得的晶圆份额或被挤压,而通用 DRAM 是服务器、PC、手机与各类利基市场共同的底座。

▍高附加值产品挤压传统产能 供需紧张或延续至 2030 年

如果说产能的结构性位移解释了价格为何上涨,那么长期供货协议则加强了紧缺的长期化。

在今年 10 月 28 日的 2026 年第三季度业绩交流会上,SK 海力士总裁兼 CEO 郭鲁正透露,公司已与包含全球头部云服务商在内的 14 家核心客户签署长期供货协议,期限通常为五年,锁定量已占 2027、2028 两年总产能的 50% 以上,且计划中长期维持相近的锁定比例。已经敲定的协议叠加正在磋商的需求," 未来三年直至 2029 年,DRAM 以及 HBM 产能实际上已近乎售罄 ";客户申报的意向采购量,则达到现有可供给能力的两倍以上。

海力士判断,内存供需紧张格局或将延续至 2030 年。其他原厂的步伐相近,三星已与 10 家主要客户签署长期协议,另有 10 家在谈,公司预计到 2030 年通过长协锁定总产能 60% 至 70% 的可能性正在增加;2027 年 HBM 的量价谈判已完成。美光在 2026 财年第四季度财报中披露,已就日历年 2027 年 HBM 绝大部分位元供应完成签约,签约价格同比上涨,HBM 与传统 DRAM 之间的毛利率差距正在收窄。

美光、西部数据、希捷等厂商给出的判断也趋于一致。2027 年至 2028 年的供需紧张程度将显著高于 2026 年,部分云厂商的供货协议已延续至 2030 年。

国产原厂正被纳入同一套规则。长鑫科技在今年 10 月 30 日的第三季度业绩说明会上确认,2027 年相关主力产品产能已收到客户预订,服务器 DDR5 当前处于供不应求状态,长协对接工作有序推进,已与多家头部客户磋商长期供货安排。

长协能够被买卖双方同时接受,原因在于需求侧的变化。SK 海力士援引机构测算,2027 年全球云服务商资本开支增速或将超过 60%,同年可落地的 DRAM 需求增速预计在 20% 以上、NAND 接近 20%。

系统架构的演变还在为存储打开新层级。随着智能体 AI 与超长上下文普及,KV 缓存体量快速膨胀,企业级 SSD 开始承担 KV 缓存卸载的新职能。原厂已在开发面向 KV 缓存的分层调度软件、基于 CXL 的混合内存方案,并规划兼顾带宽与容量的 HBM 产品。集邦咨询亦预计,受供给约束、高价 HBM4 占比提升及 HBM4E 在 2027 年下半年爬坡影响,2027 年 HBM 混合平均售价将同比上涨 121%。

需求主体的多元化同样重要。业内人士表示,除头部云厂商外,传统企业自建、主权 AI 与本地部署同时兴起,多层级投资结构降低了个别企业调整资本开支节奏对整体需求的冲击,这也是原厂签下五年长协的信心来源。

眺远影响力研究院院长高承远向《科创板日报》记者分析表示," 整体紧张 " 不等于 " 所有品类同步紧张 ":新增产能预计从 2027 年下半年开始逐步转化为实际增长,且仍将主要集中在数据中心领域,消费电子存储的供给改善取决于终端市场能否重新证明自身增长潜力。原厂目前获利与现金充裕,宁可调整出货数量也不愿率先降价破坏市场价格,消费级存储的供给松动可能早于企业级出现,但价格大幅回落的概率不高。

▍原厂利润创纪录 模组厂、终端承压

量价齐升之下,全球原厂的盈利水平达到历史峰值。SK 海力士 2026 年第三季度营收首次突破 100 万亿韩元;营业利润同比增长 632%。三星电子第三季度实现营业利润 107.4 万亿韩元,同比增长 783%,连续第四个季度刷新历史纪录。美光科技 2026 财年第四季度中数据中心业务营收 180 亿美元,同比增长约 1042%。

当下,摩根士丹利与野村对韩国由 AI 驱动的存储芯片景气周期究竟能持续多久观点分歧较大。摩根士丹利于 11 月 9 日下调 SK 海力士目标价 38%,至 160 万韩元;同时将三星电子目标价下调 19%,至 30.9 万韩元。其理由为芯片供给增加,叠加 2028 年数据中心建设进度延后带来的风险。野村在上周四发布的报告中维持原有目标价,分别是摩根士丹利调整后目标价的 2.9 倍与 2.2 倍。

国内市场方面,长鑫科技三季报显示,第三季度单季净利润约 544 亿元,环比增速已放缓。A 股存储公司三季报整体仍提供了一份较为亮眼成绩单,但环比曲线已经揭示出红利后半程的分化。兆易创新前三季度归母净利润同比增长 921.55%,但第三季度单季净利润环比下降约 22%。江波龙第三季度单季净利润 37.45 亿元,环比下降 44.23%。

佰维存储第三季度单季净利润 16.02 亿元,同比增长 525.34%。德明利第三季度单季净利润 27.29 亿元,环比小幅增长 2%,是少数单季利润环比仍正增长的公司。以分销贸易为主的香农芯创前三季度营收 1064.26 亿元,同比增长 303.14%,归母净利润 53.40 亿元,同比增长 1386.13%。

业内人士向《科创板日报》记者表示,如果一家模组厂只停留在采购颗粒、简单封装、转手销售的环节,它既无法影响上游供给,也无法在下游形成技术壁垒,那么涨价周期对它就是双向挤压,采购成本上升而终端售价难以同步提高,库存收益还可能因为价格快速变化而反复波动。

眺远影响力研究院院长高承远表示,模组厂面临的是 " 毛利率被压缩 " 与 " 拿不到货 " 的双重挤压。原厂涨价的第一道承接方就是模组厂,成本上涨速度快于成品提价速度;同时原厂优先配货给高毛利客户和大型 OEM,中小模组厂拿不到稳定的企业级货源,只能到现货市场高价补料,部分渠道已出现价格倒挂。低价库存红利已在 2026 年第三季度大致消化完毕,模组厂毛利率将逐季降低至正常水位。

与此同时,涨价压力继续向终端传导。Counterpoint 测算,DRAM 与 NAND 合计占手机物料成本的比例已从 2025 年一季度的 13% 升至 2026 年二季度的 49%,小米 2026 年一季度手机毛利率降至 10.1%。PC 产业链同时承受量价挤压,IDC 数据显示 2026 年第三季度全球 PC 出货量 6270 万台,同比下降 20.1%,惠普、戴尔、联想出货降幅均超过 22%。

在中关村物联网产业联盟副秘书长袁帅看来,对终端厂商而言,存储器在整机物料成本中的占比正在上升,价格波动会迅速反映到毛利率上。已提前签订长期协议的客户受到冲击相对较小,而依赖现货采购或短单合作的客户则面临交付不确定性和报价频繁调整。行业层面的风险在于,如果涨价过快而终端需求跟不上,渠道库存和整机销量都会受到抑制,进而反过来削弱上游的议价基础。

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