来源：环球市场播报
两名知情人士透露，台积电正考虑进军先进存储芯片制造领域。一旦落地，这家全球最大晶圆代工厂将在 AI 硬件供应链中占据更大份额。
DRAM 即动态随机存取存储器，在处理器运算时暂存数据。传统 DRAM 将存储单元单层排布，而 3D DRAM 把存储单元垂直堆叠，实现更高存储密度。当前存储芯片市场由三星、SK 海力士和美光主导，这三家也都在研发 3D DRAM 技术，下一代存储制造赛道的竞争已经拉开序幕。
目前尚不清楚台积电计划何时投产，以及将如何获取所需生产厂房。知情人士补充，台积电可以选择新建工厂。
知情人士还表示，台积电同时在考察另一条路径：收购现有厂房并改造为存储产线。美光就采取了类似做法：今年 3 月，美光以 18 亿美元收购台积电一座工厂，计划改造用于先进存储芯片生产。
台积电厂房方案与产能规模，将决定它多久能和老牌存储厂商形成竞争。台积电在 1990 年代至 2000 年代末曾生产常规存储芯片，2008 年二季度之前，公司财报还单独披露存储业务收入。
台积电回应称：" 我们不对市场传闻与猜测置评。台积电始终聚焦核心业务，专注集成电路代工。我们的目标是长期作为全球逻辑芯片行业值得信赖的技术与产能供应商。" 英伟达暂未回应置评请求。
布局存储业务，也会让台积电暴露在半导体行业周期性极强的赛道之中。历史上，存储紧缺往往引发厂商扎堆扩产，但等到新增产能落地时，需求常常已经回落，进而压低价格、侵蚀厂商利润率。这种暴涨暴跌的循环，可能会让台积电暂缓存储项目，尤其如果后续几个季度供给增加、需求走弱。
知情人士称，台积电这项存储项目由副总经理徐国钦牵头。他负责先进封装业务，该技术可以把多颗芯片整合为一套高集成系统。其履历显示，徐国钦曾执掌美光台湾业务，兼具存储制造与芯片整合经验。
台积电推进存储业务还有一重矛盾：2024 年它曾和 SK 海力士达成合作，由台积电提供工艺，为 SK 海力士下一代高带宽内存（HBM）制作底层基底芯片。HBM 通过堆叠多颗存储芯片，向 AI 处理器高速传输数据，基底芯片负责互联管理。
台积电多年来一直在研究存储技术，手握多项垂直 DRAM 相关专利，方案是通过向上堆叠存储结构，在单颗芯片里塞入更多存储单元。
但从技术研发走向稳定、大规模量产可能耗时数年，3D DRAM 更是如此。堆叠更多层会提升制造难度，增加良率风险；三星、SK 海力士、美光已经花费数十年打磨工艺，实现低成本、稳定量产。
