钛媒体 App 10 月 19 日，据报道，三星电子计划采用台积电的 3 纳米工艺生产英伟达的下一代定制高带宽内存（HBM）基底裸片。据悉，英伟达希望供应商统一制造工艺以确保性能的一致性，已要求三星、SK 海力士和美光在 NVHBM 的基底裸片生产中采用台积电的 3 纳米工艺。此举标志着三星将首次在 HBM 制造阶段与台积电展开合作。（广角观察）
钛媒体快报
3小时前
钛媒体 App 10 月 19 日，据报道，三星电子计划采用台积电的 3 纳米工艺生产英伟达的下一代定制高带宽内存（HBM）基底裸片。据悉，英伟达希望供应商统一制造工艺以确保性能的一致性，已要求三星、SK 海力士和美光在 NVHBM 的基底裸片生产中采用台积电的 3 纳米工艺。此举标志着三星将首次在 HBM 制造阶段与台积电展开合作。（广角观察）
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