需明确的是，在纽约生产中介层并不等同于完成 CoWoS 封装。中介层仅是 CoWoS 工艺流程的上游部件，台积电负责将中介层与逻辑芯片及高带宽内存（HBM）键合的封装产线目前仍集中在台湾。直到台积电及安森美（Amkor）在亚利桑那州的封装设施于 2028 至 2029 年左右投产，这一局面才会改变。换言之，这笔交易填补了美国封装拼图中的关键缺口，但尚未彻底解决供应链依赖问题。
硅中介层：AI 芯片的 " 数据高速公路 "
现代 AI 加速器（如英伟达 Blackwell、AMD MI 系列、谷歌 TPU）并非单一芯片，而是由多个芯片封装而成。硅中介层位于计算芯片与基板之间，通过密集的铜布线和垂直硅通孔（TSV），实现 GPU 与 HBM 之间每秒太字节级的数据传输。此外，格罗方德的协议还涉及嵌入式深沟槽电容（DTC），用于抑制电压波动，这对管理日益增长的 AI 加速器功耗至关重要。
由于中介层制造需要前端半导体工艺（如光刻、深沟槽刻蚀），因此必须由具备相应能力的代工厂而非后端组装测试厂（OSAT）生产。格罗方德凭借其在马尔塔厂的先进工艺，成为这一角色的合适合作伙伴。
CoWoS 产能瓶颈与地缘困境
台积电控制了约 90% 的 CoWoS 兼容先进封装产能，且长期处于供不应求状态。尽管台积电计划到 2026 年底将月产能提升至约 13 万颗，但分析师估计供需缺口仍将保持在 20% 左右。台积电 CEO 魏哲家曾公开表示，CoWoS 产能已售罄至 2026 年。受此影响，谷歌已将 2026 年 TPU 生产目标削减 25%。
地理层面的依赖同样显著。目前在台积电亚利桑那州制造的芯片，仍需运回台湾进行封装，这种往返约 1.2 万英里的供应链安排削弱了本土制造的安全意义。
格罗方德的战略卡位
格罗方德虽不与台积电在 3 纳米以下尖端制程竞争，但硅中介层无需最先进晶体管节点，而是依赖复杂的工艺能力。格罗方德现有的马尔塔厂基础设施及其美国制造足迹，使其成为技术可行的供应商。公司高级副总裁 Ed Kaste 表示，此举旨在创建安全、可扩展的先进封装元件来源。
值得注意的是，台积电尚未发布独立声明确认该交易，公告主要通过格罗方德渠道发布。
美国 AI 封装供应链的真实进度
格罗方德的交易填补了中介层生产的空白，但在 2028 年之前，在马尔塔制造的中介层仍需运往台湾进行组装。完整的美国本土 AI 芯片供应链仍需等待以下节点成熟：
硅中介层：格罗方德马尔塔厂，目标 2028 年上半年。
CoWoS 封装：安森美亚利桑那厂目标 2028 年初投产；台积电亚利桑那封装线目标 2029 年前上线。
HBM 内存：目前尚无在美国本土运营的 AI 芯片级 HBM 晶圆厂。
与此同时，英特尔正推广其 EMIB 封装技术作为替代方案。虽然 EMIB 成本更低且支持更大封装，但其互连密度低于 CoWoS-S，且现有针对 CoWoS 优化的设计难以轻易转换。因此，高性能 AI 训练负载在 2028 年前很可能仍依赖 CoWoS。
此次合作标志着格罗方德从特色代工厂向 AI 供应链关键合作伙伴的战略转型。继获得氮化镓工艺技术许可及宣布 160 亿美元投资计划后，格罗方德正通过介入 CoWoS 生态，深化其在 AI 基础设施领域的布局。
【星途科讯 图文丨周鑫雨 首发于 ZAKER 科技，转载请注明出处】
