据媒体当地时间 9 月 29 日报道，三星电子执行副总裁 Kim Taewoo 当天表示，预计明年 HBM 将占 DRAM 厂商晶圆总产能的近 30%，目前该比例约为 20%。
Kim Taewoo 称，HBM 与传统 DRAM 争夺同一批晶圆产能，扩大 HBM 产出可能挤压传统 DRAM 供应。
半导体市场研究机构 TrendForce 此前预测显示，2027 年底，全球三大 HBM 供应商的 HBM 晶圆投入预计约占 DRAM 晶圆总投入的 30%，但按存储容量计，仅能贡献约 13% 的 DRAM 总供应量。
三星已在加快 HBM 布局。
据媒体当地时间 9 月 20 日报道，三星已于今年 2 月开始量产出货 HBM4，5 月向包括英伟达在内的客户提供了 12 层 HBM4E 样品。
报道还称，业内预计三星 HBM 月均晶圆投入量将由今年约 18 万片增至明年约 25 万片，增幅近四成。
预计涨价持续
TrendForce 同日（9 月 29 日）表示，AI 服务器需求持续，HBM 与通用 DRAM 仍将分享有限的先进制程产能，2027 年存储供应将维持偏紧。
TrendForce 同时上调了 2027 年 HBM 价格预期，预计混合平均售价将同比上涨 121%，主要考虑供应持续受限、高价 HBM4 占比提升，以及 HBM4E 在 2027 年下半年逐步放量。
该机构还指出，受 HBM 供应有限和系统成本快速上升影响，GPU 和 ASIC 厂商正考虑降低单颗芯片的 HBM 搭载容量，单个堆栈成本更低的 8 层 HBM 预计将成为 2027 年多家厂商优先评估的方案。
由于每个 HBM 堆栈都需要一颗基础裸片，其成本不会随 DRAM 层数减少而等比下降，TrendForce 预计 2027 年 8 层 HBM 每 Gb 的售价将比 12 层产品高约 10% 至 20%。
TrendForce 于 8 月 25 日曾指出，服务器 DRAM 合约价在 2025 年下半年累计上涨 64%，预计 2026 年全年累计涨幅约 270%。
