9 月 8 日，阿斯麦接连发布三条公告称，宣布与台积电、三星电子及英特尔推进下一代高数值孔径（High NA）极紫外光刻（EUV）技术应用。
对于此次合作，三星电子周二回应称，此次合作旨在推动 12 英寸光掩模技术的发展，以取代几十年来广泛使用的 6 英寸光掩模格式。
新一代 EUV 光刻机
阿斯麦生产的光刻工具，通过将光照射到包含芯片图案的掩模上，将芯片图案打印在硅晶圆上。
该公司广泛使用的 EUV 设备，单次爆光的面积约为 800 平方毫米，目前英伟达、谷歌等企业所设计的芯片均能达到这一极限。可作对比的是，12 英寸芯片的直径为 300 毫米，有效作业面积通常在 70000 平方毫米左右。
阿斯麦即将推出的下一代 High NA 的 EUV 设备，能够打印更精细的芯片。但目前由于使用了更小的掩模，仍存在芯片爆光尺寸上限问题。
阿斯麦本周表示，计划升级至更大尺寸的掩模，使最新设备能够制造出与当前最大规模数据中心芯片相当的芯片。据了解，向新型 High NA 设备配备更大尺寸的掩模，将有助于推动这些设备在大规模生产中的更广泛应用。
阿斯麦还计划在 2031 年前展示配备更大掩模的试点生产线，并预计到 2033 年实现该新技术的量产能力。
ASML 首席技术官 Marco Pieters 表示，" 如果我们能成功实现这一目标，整个行业都将看到这些系统产能提升 40%。"
值得一提的是，SK 海力士最新在一份声明中表示，公司正在评估是否参与该联盟，以推进 12 英寸掩模的引入，并指出其目标是到 2028 年 High-NA EUV 工艺应用于 DRAM 的大规模生产。
