7 月 8 日，美国光芯片巨头 Lumentum（朗美通，LITE.NASDAQ）的总裁兼 CEO 迈克尔 · 赫尔斯顿在巴黎举行的欧洲 AI 行业峰会上表示，磷化铟的供需缺口已经超过 DRAM（动态随机存取内存）和 NAND（闪存）。公司电信客户的订单量从 " 数百件 " 级别跳升到了 " 数亿件 "，订单已经排到 2028 年。
Lumentum 是当前 AI 算力链条中的当红公司之一，为英伟达等客户供应数据中心光互连所需的激光器芯片。迈克尔 · 赫尔斯顿的这番表态，把一种多数人都没听说过的半导体衬底材料推到了聚光灯下。
在 AI 数据中心里，负责在服务器之间传输数据的光模块，其内部的激光器芯片生长在磷化铟衬底上。据记者了解，一只 800G（吉比特每秒）光模块需要 4 — 8 颗磷化铟基激光器芯片，1.6T（太比特每秒）光模块的芯片消耗量是 800G 的近 3 倍。而且，光模块的速率每升级一代，磷化铟的消耗并非等比增长，而是加速增长，因为更高速率意味着更多的激光器芯片和更高的单颗功率。
集邦咨询数据显示，2026 年全球 800G 及以上光模块出货量预计超过 6300 万只，占整体出货量的六成。
2026 年 3 月，英伟达分别向 Coherent（美国光子技术龙头，运营全球首条量产 6 英寸磷化铟产线）和 Lumentum 各投资 20 亿美元，签下长期采购协议。
6 月 16 日，英伟达 CEO 黄仁勋出现在 Coherent 位于得克萨斯州谢尔曼市的磷化铟晶圆厂扩建奠基现场。Coherent 的 CEO 吉姆 · 安德森在奠基仪式上称，公司八成以上的磷化铟需求来自 AI 数据中心。
根据公开信息，中国掌握全球约七成的精铟产量，铟是合成磷化铟最核心的原料，2025 年 2 月已被纳入出口管制。但在磷化铟衬底成品市场上，日本住友电工、美国 AXT（其子公司北京通美是全球主要的磷化铟衬底供应商之一）和日本 JX 金属三家企业合计占据九成以上份额，国内所有厂商出货量加在一起只占全球供应量约一成。
在 A 股市场上，磷化铟概念股今年以来走出翻倍行情。其中，国内磷化铟衬底产能最大的上市公司之一云南锗业（002428.SZ），其市值已突破 600 亿元大关，今年以来股价涨幅超过 200%，动态市盈率超过 1700 倍。
缺口严重
根据相关公告，A 股光模块龙头中际旭创（300308.SZ）今年一季度末的预付款余额从去年底的 1.34 亿元跳升到 14.88 亿元，增长了 10 倍。这笔预付款主要用于提前锁定上游光芯片和衬底产能。
苏州一家金属材料企业的市场负责人周子豪告诉记者，今年下游客户拿磷化铟衬底的交期普遍达到 24 至 40 周，部分规格更是需要预付三到五成定金才能排上队。
磷化铟在光模块产业链中的位置相当特殊。光模块的核心功能是把电信号转换成光信号发射出去，再把接收到的光信号还原成电信号，完成数据在光纤中的传输。在这个过程中，负责发光的激光器芯片是关键器件，激光器芯片的制造则需要一层 " 地基 " ——衬底，芯片的各功能层都生长在这层衬底上面。
磷化铟就是制造这类激光器芯片所用的衬底材料，它的物理特性决定了基于这种材料的激光器发出的波长集中在 1310 纳米和 1550 纳米附近，这两个波长恰好是光纤传输损耗最低的窗口，目前没有其他材料能同时满足高频调制、高效发光和低传输损耗这三个条件。
华南一家大型券商的通信分析师称，在当前主流的 800G 光模块中，激光器普遍采用 EML 方案，也就是电吸收调制激光器，将激光发射和信号调制集成在一颗芯片上。一只 800G 的光模块需要 8 颗 EML 芯片。
到了 1.6T 阶段，光模块的技术路线开始分化，硅光方案预计将占据六成以上份额。硅光的做法是把信号调制功能转移到硅基芯片上完成，功耗更低，成本也更低。而且，一个 1.6T 硅光模块不再使用 EML 芯片，取而代之的是 2 到 4 颗 CW 激光器（连续波激光光源），后者只提供稳定的光源输出，调制由硅光芯片完成。
周子豪称，CW 激光器的衬底同样是磷化铟，硅光方案替换掉的只是调制环节的材料，发光环节的需求并没有减少。
记者在采访中还了解到，目前业界还在关注一种更前沿的调制材料薄膜铌酸锂（TFLN），可能在未来 3.2T 光模块中得到应用，但薄膜铌酸锂同样只能解决调制问题，光源仍离不开磷化铟。
无论光模块的调制技术路线怎么演变，从 800G、1.6T 再到 3.2T，每一代产品都需要磷化铟。速率越高，对激光器芯片的数量和功率要求越高，磷化铟的消耗量也随之增加。
前述分析师认为，至少未来 5 年，磷化铟在数据中心光互连领域没有替代方案。
市场研究机构 Yole 的信息显示，2026 年全球磷化铟衬底需求将达 260 万到 300 万片（折合 2 英寸），但有效产能仅约为 75 万片，缺口超过七成。由于一片 4 英寸衬底的面积约等于四片 2 英寸，产业链内部通常使用 4 英寸口径来衡量实际产能和需求。
周子豪称，折合 4 英寸口径，2026 年全球磷化铟衬底需求接近 200 万片，2027 年预计攀升到 250 万至 280 万片，到 2028 年可能进一步增长至 400 万到 500 万片。
目前，全球磷化铟衬底九成以上的产能集中在日本住友电工、美国 AXT 和日本 JX 金属三家企业手里。面对需求的急速膨胀，三家行业龙头公司都在加码扩产。
日本 JX 金属是全球领先的半导体溅射靶材供应商，磷化铟衬底是其近年来重点拓展的业务。今年 6 月，该公司宣布到 2030 财年累计投资 1200 亿日元（约 58 亿元人民币），将磷化铟产能提高 7 到 10 倍。这也是该公司半导体材料业务有史以来最大的单笔投资。
美国 AXT 今年 4 月在纳斯达克完成公开增发，以每股 64.25 美元的价格发行逾 856 万股，总募资约 6.325 亿美元用于扩产。该公司管理层在今年 5 月份的电话会上表示，公司磷化铟积压订单已超过 1 亿美元。
另有公开信息显示，日本住友电工也计划投资约 180 亿日元，在 2028 财年结束前（即 2029 年 3 月前）将磷化铟衬底产能扩至 2024 财年水平的 3.1 倍。
不过，磷化铟的扩产节奏和芯片制造业不同，资金到位、厂房建好只是起点。
周子豪称，磷化铟单晶生长需要在 1000 多摄氏度、约 27 个大气压的高温高压条件下进行，一炉多晶料只有十几公斤，结晶出的单晶还要经过切割、减薄、研磨、抛光等多道工序，每一步都会产生损耗。更关键的是客户认证环节，衬底厂商必须向下游激光器厂商送样，进行器件验证和可靠性测试，从设备调试到通过下游认证，整个流程通常需要一到两年。
吉姆 · 安德森在近期的财报电话会上称，磷化铟的供需失衡至少将持续整个 2026 和 2027 年。
供给紧张的背后还有更深一层的资源约束：磷化铟由高纯铟和高纯磷合成，铟的成本占大头，而铟本身的供给弹性几乎为零。
记者在采访中了解到，铟是一种典型的伴生金属，全部附生在铅锌锡矿的冶炼过程中，全球没有一座独立的铟矿山，产量完全取决于主矿的开采规模，无法因为铟价上涨就单独扩产。
公开数据显示，中国精铟产量约占全球 70%，但高纯铟的提纯环节仍是瓶颈，用于磷化铟衬底的 7N 级产品（纯度 99.99999%）需要经过多轮除杂和区熔提纯，国内具备稳定量产和出货能力的只有株洲科能、北京通美等少数几家企业。
另外，2025 年 2 月，商务部和海关总署发布第 10 号公告，将磷化铟及三甲基铟、三乙基铟等有机金属源和相关生产技术同步纳入出口管制。
在这种背景下，上海有色网数据显示，今年以来国内精铟现货价格从年初约 2960 元 / 千克涨到 8 月中旬的 5400 至 5500 元 / 千克，涨幅超过 80%，7N 级高纯铟报价已突破 6000 元 / 千克。
周子豪告诉记者，出口管制之后，海外部分光芯片和外延产能加速向国内转移，国内光芯片企业也在快速扩张。
今年 6 月，东山精密（002384.SZ）就公告旗下索尔思光电将在常州布局光芯片及高速光模块扩建项目，总投资 12 亿美元。索尔思具备从光芯片设计制造到光模块组装的垂直一体化能力。8 月 11 日，国内 CW 激光器芯片龙头源杰科技（688498.SH）公告拟投资 42.68 亿元建设半导体科技产业园，扩产高端激光器芯片产线。
这些光芯片产线的扩张，直接拉动了对磷化铟衬底的采购需求，客观上为国内衬底厂商打开了新的机遇窗口。不过，这些产线对衬底的品质要求和认证标准与海外一致，国内厂商能否接住这部分需求，仍然有待观察。
国产龙头
在全球磷化铟的争夺战中，中国的处境颇为特殊：上游铟资源全球领先，精铟产量约占全球七成；但下游衬底成品，国内所有厂商的出货量合计只约占全球一成；产能和产量最大的是云南锗业旗下的鑫耀半导体，2025 年实际产出磷化铟晶片 10.01 万片（含各尺寸，未折合口径）。
云南锗业的传统主业是锗矿开采和锗系列产品加工，锗主要用在光纤预制棒、红外光学和航天光伏领域。通常而言，这类上游材料企业做到原材料精深加工就会止步，很少主动往下游半导体材料延伸，因为两者涉及完全不同的工艺体系和客户认证体系。
根据公开信息，2020 年 12 月，华为旗下哈勃科技入股鑫耀半导体，持股 23.91% 成为第二大股东，华为海思同期开始向鑫耀采购磷化铟衬底。华为海思不只带来了订单，还在衬底质量提升方面给了鑫耀大量技术支持，把鑫耀和住友、通美的衬底放在自家外延炉里做对比测试，逐批反馈质量差异。
记者了解到，2025 年华为海思已是鑫耀最大的客户，占其磷化铟供货量约 40%。鑫耀的其他客户还包括中国电子科技集团第十三研究所、华星激光、千缕光电等外延厂商和器件厂商。
鑫耀生产磷化铟晶片所需的高纯红磷和高纯铟均从外部采购，供应商以国内厂商为主。鑫耀的角色相当于来料加工，把铟和磷变成下游激光器厂商能用的衬底晶片，转化过程中的合格率高低直接决定其成本和竞争力。
2025 年，云南锗业传统主业材料级锗产品的毛利率从上年的 29% 降到 4.32%，铟、锗等原材料涨价几乎吃掉了这一产品线的全部利润空间，但磷化铟业务的量价齐升为该公司提供了新的利润来源。
2026 年 4 月，该公司公告投资 1.89 亿元扩建磷化铟产能，新增年产 30 万片（折合 4 英寸，其中包含 6000 片 6 英寸），建设期 18 个月，建成后总产能将达到现有规模的 3 倍。
7 月 24 日，鑫耀与 " 一家合作多年的国内客户 " 签下了 5.7 亿元至 8.55 亿元的磷化铟晶片供货协议，金额相当于云南锗业 2025 年全年营收的五成到八成，履约期从今年 8 月到 2027 年 12 月。这是鑫耀成立以来最大的一笔订单，不过合同约定价格以市场价为基础上下浮动 20%。也就是说，协议锁的是量，价格则随行就市。
一位接近鑫耀的产业链人士告诉记者，磷化铟单晶的生长是整条产线中最难控制的环节，也是国内厂商与海外龙头差距最大的地方。与硅片的自动化拉晶不同，磷化铟的单晶生长需要在高温高压条件下进行，工人手动将多晶料装入石英管、封口、抽真空，再充入高压氮气，之后缓慢结晶，操作人员的熟练程度直接影响每一炉的成品率。
另外，磷化铟单晶炉不是标准化设备，热场结构和工艺参数由各家厂商自行设计，委托第三方加工制造，结晶出的单晶还要经过切割、减薄、研磨、抛光等多道后续工序，每一步都会产生损耗。整体而言，磷化铟衬底的生产合格率远低于硅片，而且尺寸越大难度越高，这是由磷化铟晶体本身的脆性和生长特性决定的，全球厂商都面临同样的挑战。"4 英寸做不了就退成 3 英寸，3 英寸做不了就退成 2 英寸，当前供需紧张，小尺寸也卖得出去，但两三年后小尺寸肯定要被淘汰。" 上述人士称，目前鑫耀的产品以 3 到 4 英寸为主，这也是国内磷化铟衬底行业的普遍状态。6 英寸衬底的面积约为 4 英寸的 2.25 倍，在良率和工艺兼容的前提下可以显著摊薄芯片加工成本，但晶体直径越大，生长过程中温度梯度、应力和位错的控制窗口就越窄，翘曲和表面缺陷也更难控制。
全球范围来看，AXT 与 Coherent 正以三年联合开发和 2228.85 万美元预付款的方式推进 6 英寸量产。全球范围内 6 英寸磷化铟衬底仍处在试产到放量的过渡阶段。
记者还了解到，鑫耀是国内少数能够批量供应光通信级磷化铟衬底的企业，目前正在大规模扩充产线和一线操作团队。
上述产业链人士认为，鑫耀过去几年在华为海思的深度扶持下，衬底品质提升的速度在国内厂商中是最快的。但从行业规律来看，设计产能和实际产出之间的差距需要数年时间弥合，设备调试、工艺改进和人员培养都需要一个过程。
周子豪称，衡量衬底厂商工艺水平最直接的指标是直收率，即一次性走到成品的重量占投入原料的比例。在这一指标上，鑫耀目前为 7% 到 8%，通美能做到 25% 左右，差距接近 3 倍。在综合回收率方面，鑫耀约为 30%，通美约为 50%。以鑫耀为例，约七成原料在生产过程中变成废料。
" 设计产能和实际产出不是一回事，真正达到满产可能需要四到五年。" 周子豪说，设备是分批定制逐批改进的，每一批根据上一批暴露的问题做微调，第一年实际产能利用率通常只有七成左右，加工段的新产线预计今年 12 月前后才能整条投入试生产。
在 7 月 16 日的投资者交流活动中，云南锗业管理层表示，公司 2026 年磷化铟晶片计划生产 18 万片（含各尺寸）。
即便产量能跟上来，衬底在进入激光器产线之前仍然需要经过送样、器件验证、可靠性测试和小批量导入等流程，纯产品认证环节通常接近一年。
周子豪称，下游客户会把不同供应商的衬底放进一台外延设备做对比，衬底的微观质量差异在出厂检验环节可能检测不出来，但到了外延环节会完全暴露。
云南锗业管理层在前述投资者交流活动中称，公司磷化铟产品认证已基本覆盖国内下游知名厂商，目前也在积极拓展境外客户。
品质追赶
8 月 7 日，云南锗业发布股票交易异常波动公告显示，该公司静态市盈率已达 2681 倍，而其所属有色金属行业平均水平为 26 倍；2025 年度化合物半导体材料业务（含砷化镓和磷化铟，未做拆分）营收约为 1.38 亿元，占公司总营收的 12.93%，毛利贡献 14.29%。
此外，云南锗业的业绩预告显示，其 2026 年上半年预计归母净利润为 5500 万至 8000 万元，同比增长 148% — 261%，业绩改善主要来自磷化铟产品的销量增加和均价上涨；传统主业材料级锗产品的毛利率仍然只有 4.32%，对整体利润的拖累尚未解除。
在国内磷化铟衬底企业中，云南锗业起步较早、产能最大，也是少数拿到头部客户长期订单的厂商。从 2020 年哈勃入股到今年签下近 9 亿元的供货大单，尽管在良率和客户认证上与海外龙头仍有差距，旗下鑫耀半导体用了 5 年时间把磷化铟业务推进到批量供货阶段。
公开信息显示，除云南锗业外，国内还有多家企业在磷化铟产业链上布局。
在衬底环节，先导科技可提供 2 — 6 英寸磷化铟衬底产品；铭镓半导体则专注于上游多晶合成，根据公司官网信息磷化铟年产能近 30 吨。在外延环节，三安光电（600703.SH）是国内布局较深的企业之一，据该公司今年 4 月在投资者互动平台的回复，其磷化铟外延产能已扩至近每月 6000 片。
整体看，国内磷化铟衬底产品仍以 3 — 4 英寸中低端规格为主，与住友、通美在高端衬底产品上存在代际差距，但追赶的速度在加快。
与此同时，A 股市场上跨界追逐磷化铟概念的公司也多了起来。例如，主营天然皮革加工的兴业科技（002674.SZ）今年 6 月公告拟收购磷化铟业务后连收 6 个涨停板，7 月正式以 5000 多万元完成对青岛立昂晶电磷化铟业务及资产的收购。根据公告，该标的总资产为 1702 万元，净资产为 637 万元，2026 年前 5 个月收入为 234 万元，净利润为负 144 万元，在手订单不超过 200 万元，过去 3 年未盈利，产品以 2 — 3 英寸衬底为主，不涉及光模块客户。
从 8 月初起，多家磷化铟概念上市公司密集发布股票交易异常波动公告或风险提示，指向的情况大致相同：要么相关业务营收占比极小，要么尚未产生实际收入，有的公司甚至在公告中明确表示 " 主营业务不包括磷化铟衬底业务 "。
上海钢联分析师陈琪琪在接受媒体采访时表示，铟价年内约 60% 的涨幅中包含一定泡沫成分，AI 对铟的实际需求拉动约为 5%。LightCounting 的数据显示，到 2031 年磷化铟光芯片对应的市场规模约为 69 亿美元。综合而言，磷化铟在整个半导体材料版图中仍然是一个相当小的品类。
一位长期关注国内半导体材料领域的投资人称，磷化铟产业链真实的供需平衡拐点大约在 2027 年，届时海外新建产能开始集中释放，国内 6 英寸衬底也可能进入小批量出货阶段。在此之前，能拿到下游头部客户认证、把 4 英寸以上产品良率稳定在交付水平的厂商，才可能在这一轮周期中真正受益。
据记者了解，目前国产厂商在英伟达的磷化铟衬底供应体系中尚未占据显著份额，出口管制客观上为国内企业创造了一段窗口期，但一轮完整的客户认证就需要一年时间。
在周子豪看来，国内企业接下来两到三年的核心任务是把衬底品质做到能通过头部客户认证的水平，" 资源在我们手里，市场也在往国内转移，关键是品质能不能跟上 "。
