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充电头网 22小时前

英诺赛科发布 700V 半桥合封 GaN,助力变频家电升级!

当前空调风机、冰箱压缩机、洗衣机和油烟机等家电加快向变频化发展,电机驱动板也需要兼顾效率、体积、散热和可靠性。传统分立方案器件数量较多,不仅占用 PCB 空间,还会增加驱动、保护及 EMI 调试难度。

充电头网了解到,英诺赛科推出 SolidGaN ISG624x 系列 700V 集成半桥 GaN 芯片。该系列针对 220V BLDC 变频家电设计,将半桥驱动器、两颗 700V GaN 功率器件和自举二极管集成在一起,可减少外围器件,简化电机驱动系统设计。

英诺赛科 ISG624x 系列采用 EN-SOP15 高压宽爬电封装,内部集成半桥栅极驱动器和两颗 700V GaN 功率器件,并在芯片内部集成 700V 自举二极管,可减少外置驱动、电源及功率器件数量,进一步精简电机驱动电路。

该系列支持 10-20V 宽范围 VCC 供电,原生适配家电常用的单电阻低端电流采样架构,并集成过流、过温、欠压、互锁及故障输出等功能。

通过提高电路集成度,ISG624x 系列可减少 30%-50% 的 PCB 面积,为小型家电、紧凑型风机及高功率密度变频设备释放更多内部空间。

同时该系列五款产品均采用相同封装和管脚定义,可实现 Pin to Pin 兼容。通过不同导通电阻和电流规格,ISG624x 系列覆盖约 100W 至 450W 变频电机应用,能够满足从低功率风机到小型洗衣机、吸尘器等产品的驱动需求。

客户也能够在基本不改变 PCB 设计的情况下,根据整机功率和电流需求切换不同型号,缩短产品平台化开发周期。

GaN 器件没有传统硅功率器件的反向恢复损耗。SG624x 系列开关损耗相比硅 MOSFET 方案可降低 80%,同等功率下器件温升最低可下降 50 ℃。在 500W 以内的部分应用中,可支持系统取消独立散热器,进一步缩小驱动板体积。

同时针对 GaN 高速开关可能带来的 EMI 问题,芯片内置分段式栅极驱动,将 dv/dt 控制在低至 5V/ns,在部分设计中无需增加 RC 吸收电路即可满足 EMI 要求,减少外围元件及反复调试工作。

家电电机在频繁启停、负载突变和堵转过程中,对功率器件保护能力要求较高。ISG624x 系列集成双路独立欠压锁定、0.45V 精准过流保护、140 ℃过温关断、互锁和故障输出功能。

芯片还内置 120ns 硬件死区,防止上下桥臂直通,短路耐受时间超过 50 μ s,为控制器识别异常并执行保护留出时间。相比兼顾电源和电机应用的通用半桥产品,该系列在采样、保护和封装方面更贴合 BLDC 变频家电需求。

在推出 ISG624x 系列之前,英诺赛科已经形成覆盖 100V 低压半桥合封、700V 高压半桥合封及 700V 分立 GaN 的产品布局,并推出面向 48V 电机驱动和 310V 家电电机的参考方案,具备较完整的高低压 GaN 器件及系统应用基础。

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