格隆汇 7 月 21 日｜三星电子正扩大与英伟达在 NAND 闪存领域的合作，在此前已开展 DRAM、高带宽内存 ( HBM ) 及晶圆代工合作的基础上，进一步深化存储芯片供应关系。消息称，三星已开始量产第十代 V-NAND ( V10 ) 并向英伟达供货，同时扩大第九代 V-NAND ( V9 ) 产能，并推进第十一代 500 层级 V-NAND ( V11 ) 开发。据悉，三星目前已具备月产超过 10 万片 V-NAND 的产能，其中约 60% 产能分配给 V9 产品。
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三星电子扩大与英伟达 NAND 供应合作 加速 V9、V10 闪存布局
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