【CNMO 科技消息】7 月 3 日，据韩媒报道，三星电子、SK 海力士计划大幅提前平泽工厂与龙仁半导体产业集群的竣工时间。外界由此预测，各大半导体设备厂商的订单规模也将在短期内快速扩张。
据 CNMO 科技了解，三星电子与 SK 海力士近期与政府达成协议，调整设备投资时间表：一边推进西南区域全新半导体集群建设，一边将当前在建的京畿道平泽、龙仁工厂提前竣工。政府要求两家企业大幅缩短京畿道扩产项目周期，力争 5 年内将高端 DRAM 产能提升至现有两倍。
SK 海力士原计划 2045 年完工的龙仁半导体集群工期直接提前 12 年，计划 2033 年前完成第四座晶圆厂建设。后续分阶段投产配套生产设备，龙仁集群整体总投资额将达 600 万亿韩元。
三星电子同样计划提前落地平泽半导体产线。此前行业预估，今年下半年平泽 5 厂（P5）一期主体工程动工，明年下半年正式投产；平泽 6 厂（P5 Fab2）才刚启动基础施工。
但三星电子调整建设方案，不再分批次先后修建 P5 与 P5 Fab2，改为同步施工压缩工期。同时，原定于 2047 年竣工的龙仁国家产业园区，建设周期缩短 7 年，计划 2040 年前全部完工。
此次提前落地的投资重点聚焦高带宽内存（HBM）所需高端 DRAM 产线搭建，因此相关设备企业将率先迎来订单增长。三星电子计划在 P5 与 P5 Fab2 全部打造适配 HBM4、HBM4E 的 1c 制程 DRAM 专属产线，同时可切换至明年年末量产的 10 纳米级第七代（1d）DRAM 工艺，1d DRAM 将用于第九代 HBM5E 芯片制造。
