据韩媒报道，据业内人士 12 日透露，SK 海力士正准备向主要客户提供 HBM4E 样品，最早可能在本月（6 月）开始发货，最迟下个月也将开始。
这一时点比原计划更早。SK 海力士此前在第一季度财报电话会议上表示 " 内部计划在下半年提供样品 "。
业内人士认为，考虑到 HBM4E 计划于明年量产，客户验证和优化工作必须在今年下半年进行，因此样品供应指日可待。
HBM（高带宽存储器）是 AI 加速芯片的核心配套部件，其带宽与容量直接决定 AI 训练与推理的效率。当前，HBM 市场由三星、SK 海力士和美光主导，SK 海力士为当前 HBM 市场的份额领导者。
HBM4E 是第七代 HBM，预计 SK 海力士的 HBM4E 将被用于英伟达的下一代 AI 加速器 "Rubin Ultra" 中，Rubin Ultra 计划于明年发布。6 月 2 日，黄仁勋参观了在中国台湾举行的 2026 年台北国际电脑展 SK 海力士展位，并在 HBM4E 晶圆上留言：" 请多生产一些。"
在 HBM 市场，样品交付的时机至关重要。由于下一代 HBM 是根据客户的具体要求定制生产的，更快的样品交付速度可以让客户更快地验证性能并完成优化，从而在最终的量产竞赛中占据优势。
5 月 29 日，三星电子宣布，已开始向主要全球客户交付业内首批 12 层 48GB HBM4E 样品。在完成初步样品交付和优化后，三星计划根据客户的进度安排开始批量生产 HBM4E。
一位业内人士表示："对于 HBM 而言，不仅性能至关重要，出货时间和客户认证等进度安排也至关重要。" 他补充道："今年下半年，两家公司（三星与 SK 海力士）之间的供应竞争将进一步加剧。"
另外，美光的 HBM4 产能爬坡进展顺利，计划于 2027 年量产 HBM4E，消息称其 HBM4E 将采用 10 纳米级第六代 1 γ 工艺，这是美光首次在量产工艺中引入 EUV 光刻设备，基础裸片将委托台积电制造。
TrendForce 此前指出，上述三大供应商正逐步将产业重心由良率竞争转向定价权与下世代规格主导，虽传统 DRAM 利润率短期反超 HBM，供货商仍维持均衡产品组合，并看好 HBM 长期合约价走高，横向对比来看，当前除 HBM 以外的各类 DDR 及消费级存储，历经前期多轮涨价后价格已整体处于相对高位，而 HBM 的涨价红利尚未充分释放。
