文 | 半导体产业纵横
当摩尔定律逼近物理极限，晶体管尺寸的微缩不再是芯片性能提升的唯一路径，先进封装技术正从产业链的 " 配角 " 一跃成为决定 AI 算力上限的 " 主角 "。限制 AI 硬件供应的不只有芯片产能，更有 CoWoS 产能。据 Yole Group 数据，2025 年全球先进封装市场规模约 531 亿美元，预计到 2030 年有望达 794 亿美元，年复合增长率约 8.4%。
如今，全球半导体产业迎来了一场前所未有的先进封装大战：产能扩张速度创历史新高，技术路线竞争白热化，上游材料供应持续紧张，下游 AI 与汽车电子需求呈指数级增长。这场战争不仅关乎芯片厂商的市场份额，更成为大国科技竞争的新焦点。
全球扩产竞赛：产能成为最稀缺的战略资源
如今，制约顶级 AI 芯片量产的核心瓶颈已经不再是先进制程的晶圆制造能力，而是先进封装环节的产能与技术供给。全球头部厂商纷纷砸下重金，掀起了一场扩产狂潮。
台积电作为全球先进封装领域的绝对霸主，其 CoWoS 产能占据全球 85% 以上的市场份额，且仍在以前所未有的速度扩产。公司计划布局 7 座先进封装工厂，全面部署 CoWoS、WMCM 及 SoIC 三大核心封装技术。由于高性能计算（HPC）领域的 AI 芯片需求远超其他细分市场，台积电的大部分封装产能将优先服务于 AI 算力基础设施建设。根据产能规划，到 2027 年，台积电先进封装年产能将从当前的 130 万片晶圆提升至 200 万片，增幅约 53.85%。为快速填补市场缺口，台积电采取 " 新建 + 改造 " 双轨策略：一方面加速建设全新封装设施，另一方面将部分老旧 8 英寸晶圆厂改造为先进封装产线。相比新建工厂，改造现有厂房可大幅缩短设备调试周期。同时，台积电正积极推进美国亚利桑那州的先进封装布局，两座封装工厂计划于 2030 年投入量产，届时将填补美国本土芯片制造在封装环节的空白。
当日月光宣布其 LEAP（先进封装及测试）业务营收从 2025 年的 16 亿美元翻倍至 2026 年的 32 亿美元时，市场意识到，OSAT（委外封测代工）已成为先进封装产能扩张的 " 第二波动能 "。作为台积电 CoWoS 产能外溢的主要承接方，日月光的先进封测订单已处于爆满状态。公司斥资新台币 178 亿元（约合人民币 38.3 亿元）兴建楠梓科技第三园区，这是其近五年在中国台湾地区的最大手笔投资。该园区将建设智能运筹中心与先进制程测试大楼两栋建筑，地上 8 层、地下 1 层，预计 2026 年动工、2028 年第二季完工。此外，日月光还计划在中国台湾省高雄仁武基地投入逾新台币 1083 亿元，一期工程预计 2027 年 4 月投运，二期工程将于同年 10 月跟进。最近，日月光投控代子公司日月光半导体公告称，经双方议价，以总价新台币 148.5 亿元（未税，约合人民币 32 亿元），向面板大厂群创光电取得位于台南市新市区新科段的南科 Fab 5 厂房及相关附属设施，以快速补齐先进封装产能缺口。
英特尔位于马来西亚的先进封装基地及封装测试产线将于 2026 年下半年正式投产。2025 年底，英特尔马来西亚 " 塘鹅计划 " 先进封装基地已进入建设收尾阶段，整体完工率达 99%，英特尔还追加 2 亿美元投资用于基地最终落成。该基地将承接芯片晶圆分选、预处理等工序，同时支持 EMIB 和 Foveros 两种先进封装工艺，可更快响应客户的产能与技术需求。与此同时，英特尔正联合长期合作的封测代工厂安靠科技，持续扩大 EMIB 技术产能，该技术已在安靠科技韩国松岛 K5 工厂落地。
半导体 OSAT 领军企业安靠（Amkor）宣布，计划将 2026 年资本支出预算提高至 25 亿 -30 亿美元，优先扩大韩国和中国台湾地区的先进封装产能。为满足客户对美国本土制造及供应链多元化的需求，安靠正借助《芯片与科学法案》补贴及客户资金，将资本支出推至历史新高。其中，约 65%-70% 的投资将用于全球生产设施建设，包括预计 2027 年中期竣工的亚利桑那州新工厂一期工程，以及越南、韩国和中国台湾地区的生产线扩建；剩余 30%-35% 将用于购置先进的 2.5D 和 HDFO 封装及测试设备，相关投资额预计同比增长 40%。
三星电子计划在越南北部新建一座总投资额 40 亿美元的芯片封装工厂，进一步强化其在越南的战略布局，项目将分阶段推进，首期投资 20 亿美元。韩国存储巨头 SK 海力士则宣布，将在韩国忠清北道清州投资约 19 万亿韩元（约合人民币 900 亿元）建设新的芯片封装工厂，重点服务 AI 相关存储产品。新工厂将成为清州园区的重要组成部分，主要承担 HBM 及其他 AI 存储产品的先进封装任务。项目建成后，SK 海力士将形成利川、清州、美国西拉法叶三大先进封装基地，进一步强化从晶圆制造到封装测试的垂直整合能力。
中国本土企业：加速追赶高端封装赛道
国内封测龙头企业也正抢抓行业机遇，加速向高端先进封装领域突破。
2026 年 1 月，通富微电发布定增公告，拟募集资金投向存储芯片、汽车等新兴应用、晶圆级、高性能计算及通信四大封测领域，同时安排 12.3 亿元用于补充流动资金及偿还银行贷款。具体来看，公司计划投入 8.88 亿元提升存储芯片封测产能，其中拟使用募集资金 8 亿元；投入 11.00 亿元布局汽车等新兴应用领域封测产能，拟使用募资 10.55 亿元，项目建设期 3 年，建成后将新增相关产能 5.04 亿块；投入 7.43 亿元建设晶圆级封测产能提升项目，将新增晶圆级封测产能 31.20 万片，同时提升厂区高可靠性车载品封测产能 15.73 亿块；投入 7.24 亿元建设高性能计算及通信领域封测产能提升项目，建成后年新增相关封测产能 4.80 亿块。
盛合晶微已完成科创板过会，募资总额高达 50.28 亿元，创今年以来 A 股新股募资之最。募资中 48 亿元将用来扩产 2.5D/3D 封装产能，资金投向三维多芯片集成封装项目（40 亿元）和超高密度互联三维多芯片集成封装项目（8 亿元）。
中芯国际近期全资设立上海芯三维半导体有限公司，注册资本达 4.32 亿美元，正式发力先进封装领域。此前，中芯国际曾与封测龙头长电科技合资成立中芯长电（盛合晶微前身），后续退出相关股份，专注于前段晶圆代工业务。随着产业趋势变化，中芯国际于今年 1 月底联合上下游企业开展产业链协同合作，在上海成立先进封装研究院。此番布局将补齐中芯国际在后段封装环节的短板，实现从制造到封装的垂直整合，进一步提升产品附加值与客户黏性。
技术路线之争：从 2.5D 到 3D，谁将主导未来？
产能军备竞赛的背后，是更为白热化的技术路线博弈。2025-2026 年，先进封装产业正加速从 2.5D 向 3D 演进，混合键合、玻璃中介层、面板级封装等前沿技术，成为各大厂商争夺的焦点。
CoWoS：当前的绝对主流
当前 AI 芯片领域已形成 HBM+CoWoS 的技术绑定关系。英伟达 H100/H200/GB200、AMD MI300 系列、博通 AI ASIC 等主流产品均采用台积电 CoWoS 封装。英伟达已预订台积电 2026 年 80-85 万片晶圆产能，占据超 50% 份额。
Chip-on-Panel-on-Substrate）是台积电（TSMC）推出的新一代先进封装技术，被定位为 CoWoS 的继任者。该技术的核心是 " 化圆为方 "，采用玻璃或蓝宝石方形载具作为中介层，以矩形面板基板（如 310x310mm、750x620mm）替代传统的圆形硅中介层，旨在提升封装面积利用率、生产灵活性与可扩展性，并降低成本。台积电 CoPoS（基于基板的面板级芯片封装）中试生产线已于 2 月启动设备交付，整条产线预计 6 月全面建成。量产预计于 2028 年底至 2029 年上半年实现，量产据点包括嘉义 AP7 厂与美国亚利桑那州厂，英伟达（NVIDIA）预计将成为首发客户。
混合键合：3D 封装的终极技术
如果说 CoWoS 是 2.5D 时代的王者，那么混合键合（Hybrid Bonding）则被视为 3D 封装的终极技术。它能将芯片间的互连间距缩小到微米级甚至亚微米级，实现铜对铜的直接原子级贴合，从而大幅提升连接密度和带宽，降低功耗。
在 HBM 高带宽内存领域，混合键合已从 " 技术选项 " 变为 " 生存必需 "。三星、美光、SK 海力士三大存储巨头明确宣布：HBM5 20Hi（20 层堆叠），必须采用混合键合技术。东兴证券指出，混合键合技术正从先进选项转变为 AI 时代的核心基础设施。在存储领域，HBM5 为实现 20hi 超高堆叠采用此项 " 无凸块 " 技术以突破物理极限。行业已进入高速落地期：台积电等大厂提前扩产，HBM4/5 与高端 AI 芯片将率先规模应用，相关设备需求预计在 2030 年前实现数倍增长，标志着该技术已成为驱动下一代算力的确定方向。
玻璃中介层：解决翘曲问题的关键
随着 AI 芯片尺寸不断增大，传统硅中介层的翘曲问题日益严重，玻璃基板凭借与硅匹配的热膨胀系数、极低介电损耗和超高布线密度，被视为解决这一问题的最佳方案。
2026 年 CES 上，英特尔发布了业界首款采用玻璃核心基板大规模量产的 Xeon 6 + 处理器；苹果公司也正深化自研 AI 硬件布局，启动先进玻璃基板测试，用于内部代号为 "Baltra" 的 AI 服务器芯片。为强化供应链掌控力，苹果采取 " 孤岛式 " 封闭研发策略，已直接向三星电机评估采购 T-glass 玻璃基板，而三星电机此前已向博通供应玻璃基板样品，此次与苹果的合作，标志着其在玻璃基板这一新兴业务领域的快速拓展。
目前，玻璃中介层技术正经历从技术验证向早期量产的关键转折，台积电 CoPoS 中试生产线的长远目标，正是用玻璃基板全面取代硅中介层。但玻璃基板并非完美无缺：它解决了翘曲问题，却引入了脆性缺陷 —— 边缘轻微磕碰就会产生微裂纹，这类缺陷在早期难以检测，往往到最终测试阶段才会发现整批产品报废，造成巨大的经济损失。
结语：先进封装是决定 AI 时代的胜负手
先进封装之战的本质，是算力交付能力的战争。当晶体管微缩逼近物理极限，当 AI 模型参数突破万亿级，芯片性能的提升已越来越依赖垂直集成与异构封装。2nm 制程的晶体管密度固然重要，但若无先进封装技术的支撑，AI 芯片的算力潜力将无法充分释放。
2026 年将成为产业分水岭，在这场大战中，产能扩张的速度、技术迭代的精度、供应链整合的深度，将共同决定半导体产业下一阶段的权力分布。而对于中国大陆厂商而言，台积电高端封装产能的持续紧缺，叠加半导体产业链国产化的大趋势，或许是切入全球高端封装供应链的最后战略机遇。
