国家知识产权局信息显示，北京燕东微电子科技有限公司申请一项名为 " 半导体结构 " 的专利，公开号 CN121751683A，申请日期为 2025 年 12 月。
专利摘要显示，本发明提供一种半导体结构，包括：半导体层；位于半导体层中且间隔设置的源区和漏区；位于半导体层上的栅极结构，包括层叠设置的栅极介质层和栅极，栅极介质层包括靠近漏区的第一区域和靠近源区的第二区域，第二区域与第一区域的等效氧化层厚度相等；其中，第一区域包括层叠设置的第一介质层和第二介质层；至少部分第一介质层具有第一介电常数；第二介质层具有第二介电常数，第二介电常数大于第一介电常数；第二区域具有第一介电常数。上述半导体结构，通过在靠近漏区的栅极介质层中插入具有高介电常数的介质层，在保证 EOT 值不变的情况下形成非对称栅极结构，可以降低漏极施加高电压时过高的纵向电场强度，降低载流子隧穿概率。
天眼查资料显示，北京燕东微电子科技有限公司，成立于 2016 年，位于北京市，是一家以从事其他制造业为主的企业。企业注册资本 1600000 万人民币。通过天眼查大数据分析，北京燕东微电子科技有限公司共对外投资了 2 家企业，参与招投标项目 1150 次，专利信息 183 条，此外企业还拥有行政许可 113 个。
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作者：情报员
