【CNMO 科技消息】全球人工智能（AI）投资热潮加剧了内存半导体短缺，三星和 SK 海力士正同步提升其中国工厂的工艺技术和产能，以全面扩大供应。韩国金融监督院近日披露，两家公司去年在华工厂的投资总额超过 1.5 万亿韩元。
据 CNMO 了解，三星去年对其位于中国西安的工厂投资了 4654 亿韩元，较前一年的 2778 亿韩元大幅增长 67.5%。西安工厂是三星唯一的海外 NAND 闪存生产基地，约占其总产量的 40%。此前，三星在 2019 年对西安工厂投资约 6984 亿韩元后，2020 年至 2023 年间未进行重大投资，但自 2024 年起恢复投资并持续加码。
与此同时，SK 海力士去年也对其无锡 DRAM 工厂和大连 NAND 闪存子公司进行了超过 1 万亿韩元的投资。其中，向无锡 DRAM 工厂注资 5810 亿韩元，较 2024 年的 2873 亿韩元激增 102%；向大连 NAND 工厂投资 4406 亿韩元，增长 52%。这是 SK 海力士自 2022 年收购英特尔大连 NAND 工厂以来，首次在华进行万亿韩元规模的投资。
韩媒解读称，全球内存市场两位巨头如此积极投资中国工厂的背后，是源源不断的内存半导体订单。当前内存市场供应紧张，今年全年的 DRAM 和 NAND 闪存产量已基本售罄。随着 AI 服务从简单的搜索演变为需要更多推理和学习的 " 智能体 " 形式，对高性能 DRAM 的需求激增，用于 AI 数据中心处理信息的超高性能内存订单也大幅增长。
瑞银证券预测，全球半导体市场今年将比去年扩张 40% 以上，达到 1 万亿美元规模。此外，中国国内的 AI 基础设施投资也带动了强劲的内需，去年中国内存半导体市场规模已达约 4580 亿元人民币，预计今年还将进一步扩大。
仅靠韩国国内的生产设施已无法满足全球需求，三星和 SK 海力士正通过升级其关键生产基地之一的中国工厂来扩大供应。通过大规模追加投资，三星计划将其西安 NAND 工厂的主要工艺从 128 层（第 6 代）升级至 236 层（第 8 代）。
SK 海力士则通过投资，将其无锡工厂的 DRAM 生产工艺从 10 纳米级第 3 代（1z）升级至第 4 代（1a）。升级后，无锡工厂将能够大规模生产第五代双倍数据速率（DDR5）等高附加值产品。该工厂占 SK 海力士 DRAM 总产量的 30% 以上，现已转型为高附加值产品生产基地。
