据媒体当地时间 10 月 14 日报道，SK 海力士正在扩大第六代 HBM4 的量产，但其部分后道工序设备供应商担心，扩产速度可能不及预期。
媒体援引业内人士消息称，原定今年下半年交付的部分设备有推迟至明年的迹象，后续订单计划也尚未明确，已交付设备是否已满负荷运转同样缺乏数据验证。
报道指出，SK 海力士今年的 HBM4 设备订单已基本下达完毕，追加投资的动向并不明显。
明年的投资计划同样悬而未决。据报道，SK 海力士尚未向部分合作伙伴传达明年的 HBM4 投资安排，媒体援引业内人士消息称，该公司内部似乎也还没有敲定。
业内人士指出，若 SK 海力士急于推进投资，相关动向早该显现，但目前并未观察到其削减或增加 HBM4 投资的明确信号。
投资节奏的变化，引发了市场对 HBM4 后道工序是否出现技术问题的猜测。不过，目前设备投资节奏与产品质量问题之间并未发现直接关联。
韩国大信证券研究员 Ryu Hyung-geun 在近日发布的研报中指出，有市场人士担心 SK 海力士面向主要客户的 HBM4 存在质量问题，可能使业绩低于预期，但这实属过虑。
Ryu Hyung-geun 表示，后道工序可能出现过部分问题，但难以认定为无法解决的风险，目前也远未到讨论不良品赔偿的阶段。
媒体援引业内人士观点指出，SK 海力士已向主要客户提供 16 层堆叠 HBM4 样品，在封装技术上被认为最为领先，仅凭个别后道设备企业的投资时间表变化或明年计划尚未共享，尚不能断定量产出现问题。
部分投资转向通用 DRAM
媒体援引半导体设备业内人士观点指出，HBM4 投资节奏的调整与近期通用 DRAM 行情有关。
该人士称，随着通用存储器价格上涨，SK 海力士下半年在 HBM 相关投资上趋于保守，部分投资转向价格走高的通用 DRAM。
产能规划也呈现出类似趋势。
SK 海力士计划在龙仁半导体产业集群在建的 Y1 晶圆厂首个洁净室内，优先导入 DRAM 设备，业内预计初期将采用 1c（第六代 10 纳米级）制程；媒体援引业内人士消息称，龙仁新增产能预计将优先用于通用 DRAM，即便开启 1c DRAM 量产，初期也不会分配给 HBM。
