针对再度涨价的市场传闻，南亚科方面表示，针对客户报价相关事宜，不予置评。业内人士认为，随着南亚科启动新一轮合约价上调，涨价效应将逐步传导落地，有望抬升公司平均售价（ASP），改善盈利水平，推动整体经营持续向好。
受益于存储行业高景气，南亚科今年业绩持续走高。9 月合并营收 450.91 亿新台币，连续 11 个月刷新单月历史新高，规模达到 1 月业绩的近三倍，同比大增 576.62%；第三季度合并营收 1336.49 亿新台币，创下单季历史新高，环比增长 61.9%，同比增幅 611.7%；前三季度合并营收 2652.85 亿新台币，创同期历史新高，同比大涨 626.95%。
与此同时，南亚科也在持续加码产业布局，该公司已获批进驻屏东科学园区，计划建设 3D 晶圆封测工厂，导入硅穿孔、晶圆堆叠相关技术，抢抓 AI 驱动的高性能、高带宽存储市场机遇。
据了解，南亚科新增晶圆产能将交由 5A 新厂承接，规划 2027 年下半年正式投片；2028 年月产能达到 3 万片，2029 年月产能进一步提升至 3.59 万片。公司已经将本年度资本支出上限上调至 697 亿新台币，并批准 2026 2029 年最高 3466 亿新台币资本开支，用于一期产能建设。
西南证券表示，AI 算力建设浪潮带动服务器 DRAM 需求端爆发式增长，供给端新产能扩产周期较长，HBM 及高容量服务器产品占用晶圆资源，行业供给弹性有限。需求爆发叠加供给刚性，存储价格端持续上行，DRAM 迎来超级成长周期。
根据 TrendForce 集邦咨询最新存储器产业研究，2026 年第四季，DRAM 原厂持续将先进制程投入生产服务器应用的高性能产品，整体维持供不应求格局，预计普通 DRAM 合约价环比上涨 10% 15%；消费级 DRAM 方面，大厂减产策略维持不变，供给高度依赖中国台湾厂商，价格将延续上行，供需紧张局面仍将持续。
三大 DRAM 巨头近期的业务态势，均折射出行业强劲的景气度。
三星电子正加速建设其位于平泽第五园区（P5）的首条量产生产线（Ph1）。P5 是三星电子在韩国本土投建的下一代大型晶圆厂，瞄准 AI 存储需求，目标 2028 年投产。该项目分两期推进，一期 Ph1 规划生产 DRAM 与 HBM 高带宽内存；二期 Ph2 尚在研讨中，有望建设为第十代 NAND 闪存产线。
SK 海力士正扩大存储半导体倒装芯片封装外包规模，计划将部分 DDR4、DDR5 DRAM 内存芯片封装订单交由 Winpac 承接，Winpac 已在 P 围区封装工厂完成设备调试等产线投产准备，现已进入量产阶段。该围区负责 DRAM、NAND 闪存、eUFS 嵌入式通用闪存等高性能产品封装，月产能已由 4400 万颗提升至 5000 万颗。
美光科技董事长兼 CEO Sanjay Mehrotra 日前在财报电话会上表示，结构性的供需增长率差距导致了持续的供应紧张，即使考虑到行业新增的 DRAM 洁净室空间计划，在强劲的需求趋势（包括客户不断提出的增量要求）下，看不到供需何时能恢复平衡的拐点。行业 HBM 需求增速将持续跑赢传统 DRAM 直至 2028 年。Sanjay Mehrotra 透露，美光 2027 年 HBM 的大部分供应已经签订协议，" 价格同比大幅上涨，这缩小了（HBM）与传统 DRAM 之间的毛利率差距。"
