【新型半导体超薄结构可兼顾低漏电与高性能】财联社 6 月 5 日电，随着半导体芯片变得越来越薄，芯片内部各组成部分也在追求极限超薄化。然而，这带来了一个结构性限制，即器件越薄，越难导电。为破解这一难题，韩国浦项科技大学研究团队重新设计了超薄碲晶体管的金属—半导体接触结构，开发出一种大幅降低接触电阻的新技术。通过仅对与电极接触的关键区域进行局部增厚，他们将器件接触电阻降低至原有水平的 1/50，并显著提升了低温性能。相关成果发表于新一期美国化学会《ACS Nano》杂志。
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