IT 之家 6 月 21 日消息，据投资研究平台 Tegus 披露的讨论内容，一位匿名英特尔总监表示，未来晶体管设计将降低对先进光刻设备的依赖，转而提升刻蚀技术的核心地位。
光刻环节：ASML 极紫外（EUV）及高数值孔径（High NA）光刻机将电路设计转印至晶圆
后处理环节：通过沉积工艺添加材料，再经刻蚀工艺选择性去除材料形成晶体管结构
这位英特尔总监强调，GAAFET 与 CFET 等三维晶体管结构要求 " 从各个方向包裹栅极 "，使得横向去除多余材料成为关键，" 制造商将更专注于通过刻蚀工艺去除材料，而非延长晶圆在光刻机中的处理时间来缩小特征尺寸。"
对于当前技术方案，目前最主流的还是鳍式场效应晶体管（FinFET），使晶体管底部连接绝缘材料，使电流通过栅极来完成控制；而新型设计则主要包括：
GAAFET：使栅极包裹晶体管，晶体管组平行排列
CFET：将晶体管组垂直堆叠，可显著节省晶圆空间
英特尔总监表示，这种三维结构使芯片制造 " 降低对最小特征尺寸的依赖，因为不仅能在平面上实现高密度，还能通过垂直堆叠达成 "，因此高数值孔径光刻机在先进制程中的重要性 " 将低于当前 EUV 设备在 7nm 及更先进技术节点中的关键地位 "。
