【CNMO 科技消息】存储芯片的这轮上行周期还能走多久，两家机构给出了方向相近、幅度相差很远的判断。财联社 11 月 11 日消息，美国银行援引集邦科技资深分析师 Avril Wu 的观点称，存储行业可以维持当前的上升周期到 2027 年，并在 2028 年避免进入下行周期。
Wu 在 11 月 10 日由美国银行主办的一场网络直播中表示，内存价格可能继续走高。她预计 2026 年第四季度 DRAM 和 HBM 价格将比上一季度上涨 10% 至 20%，NAND 价格将上涨 8% 至 13%。再往前看，她认为到 2027 年 HBM 价格会涨到原来的两倍以上，而长期供应协议可能有助于降低 2028 年之后的价格波动——也就是说，涨幅未必能一直维持，但波动的剧烈程度有望收敛。
美国银行总体上认同这套看涨逻辑，但对涨幅的判断明显更保守。该行预计第四季度 DRAM 价格环比上涨 8%，NAND 上涨 3%，两个数字都远低于集邦给出的区间。分歧最大的地方在 HBM：美银认为 2027 年 HBM 的涨幅会低于 50%，与 Wu 预期的翻倍相去甚远；该行同时警告，价格回调最早可能在 2027 年初就会开始。
同一批供需数据，被读出两种节奏。这并不奇怪，研究机构看的是产能缺口与长约结构，投行还要兼顾客户持仓、估值与市场情绪，对同一件事自然会有不同的措辞。但从两边的表态里能提取出一个共同点：2027 年仍是这轮周期的关键节点，只是有人认为那是高位平台，有人认为那是拐点前夜。至于 2028 年能否 " 避免下行 "，两家的说法其实都留了余地，没有人给出确切的软着陆路径。
