快科技 11 月 11 日消息，在 ASML 发出极紫外光刻设备供应短缺预警的背景下，全球头部存储厂商正积极锁定设备交付。
这场巨额投资的底层逻辑，是先进存储芯片制程微缩已逼近物理极限。当 DRAM 推进到 1 β 及以下节点时，电路间距缩至十几纳米，传统深紫外光刻必须依赖多次曝光来拼凑图形，导致叠对误差不断累积。
在字线与位线间距逼近极限时，如果继续硬撑，将直接导致良率无法满足量产要求。对于追求先进制程的巨头而言，拿不到 EUV 设备，就意味着在下一代存储竞赛中面临出局的危险。EUV 的 13.5 纳米波长能在单次曝光中定义细微图形，是维持先进节点可制造性的唯一出路。
在产能布局上，三星正全力推进平泽 P4 工厂的升级，计划增设 HBM4 单晶 DRAM 产线。同时，平泽 P5 工厂扩建稳步推进，首座晶圆厂预计 2028 年投产，目前已提前订购光刻设备，待 2027 年上半年洁净室完工即可进场。
此外，三星意图通过高数值孔径极紫外光刻技术拉开技术代差。三星计划 2027 年量产 1D DRAM，2028 年迈入 10 纳米以下的 0a DRAM 阶段，届时将引入该技术。为平衡成本与良率，三星正评估仅在一到两层关键工艺中使用该设备。
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