钛媒体 App 11 月 3 日，三星电子将利用其位于美国得克萨斯州泰勒市的第二座晶圆代工厂，为 AMD 和英伟达生产高带宽内存芯片的基础裸片。该工厂预计将于本月正式动工，且全部产能已获得订单，其中大部分订单来自 AMD。该工厂将采用先进的 2 纳米制程技术，占地约 270 万平方英尺，规模约为三星首座工厂的 1.5 倍。三星首座工厂已与特斯拉签订合同。据悉，该工厂预计将于 2029 年 2 月开始安装设备，并于 2030 年启动量产。（广角观察）
钛媒体快报
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