IT 之家 10 月 29 日消息，三星电子 ( Samsung Electronics ) 当地时间今早举行了 2026Q3 财报电话会议。会上该企业高管表示，其 2027 年的 HBM 产能已按既定目标价格售罄，而 2028 年的整体 DRAM 内存供应将维持紧张。
三星电子在 2026Q3 的 DRAM 和 NAND 出货容量均上涨个位数百分点，ASP 则分别增长 20% 和近 10%；企业预计 2026Q4 的 DRAM 出货容量将增长 15~20%，NAND 则增长 15% 左右。存储半导体市场整体仍供大于求，高管特别提到收到了大量 QLC 需求。
在 HBM 方面，三星电子已提前实现细分市占齐平整体 DRAM 市占的目标。其 HBM4 销售额在 Q3 环比增长超 3 倍，已占到 HBM 总营收的 60%。
此外，三星晶圆代工业务计划加大对韩美晶圆厂的投资，希望同步建设先进封装产能，正就建设更多晶圆厂在内的扩展计划进行评估。
