财联社 10 月 28 日讯（编辑 夏军雄）高盛 10 月 27 日发布研报，援引其与市场研究机构 TrendForce（集邦咨询）举行的存储行业专家会议内容指出，2027 年 DRAM 价格有望持续上涨，涨势甚至可能延续至 2028 年上半年。与此同时，HBM 价格预计出现更大幅度上涨。
支撑这一乐观前景的核心因素包括服务器需求强劲、新增产能释放受限，以及 HBM 产品升级带来的价格溢价。不过，长期供货协议可能限制部分 DRAM 价格涨幅，而中国供应商短期内仍难以显著改变全球 HBM 市场的竞争格局。
HBM 价格或大幅上涨，产品定价分化明显
与传统 DRAM 相比，HBM 市场 2027 年的价格上涨幅度预计更加显著。
在 HBM 市场，TrendForce 预计 2027 年价格将大幅上涨。高盛认为，这一判断与自身预期一致，该行目前预计，主要 HBM 供应商 2027 年的平均售价同比涨幅将达到 100% 至 160%。
不过，HBM 价格上涨并不意味着所有产品都具有相同的定价水平。随着 HBM4 及其升级产品逐步进入市场，不同技术规格、供应商和客户之间的价格差异可能进一步扩大。
TrendForce 指出，2027 年 HBM4 的高端价格可能超过每 Gb 5 美元，而较低端价格可能接近每 Gb 3 美元，反映出不同供应商及客户之间存在显著的定价差异。
即使属于同一代产品，不同堆叠层数也会影响单位容量售价。TrendForce 预计，8 层堆叠 HBM4 的每比特售价可能比 12 层堆叠产品高出 5% 至 10%，主要原因是前者的基础裸片成本分摊至单位存储容量后更高。
此外，HBM4E 在 2027 年的定价可能显著高于 HBM4。
这些差异意味着，HBM 市场的增长不仅取决于整体需求扩张，也受到产品结构及不同规格产品定价的影响。高端产品的价格溢价也是影响行业综合平均售价和收入规模的重要因素。
DRAM 涨价或持续至 2028 年上半年
HBM 价格大幅上涨的同时，传统 DRAM 市场也有望延续景气周期。
TrendForce 预计，DRAM 供应紧张状态将贯穿 2027 年。尽管消费电子需求偏弱，但服务器需求保持强劲，加上供应商新增产能有限，预计将推动 DRAM 平均售价在未来几个季度继续上涨。
这一判断反映出 DRAM 下游需求的明显分化。消费市场疲软并未改变 TrendForce 对整体供需关系的乐观预期，服务器需求成为支撑价格的重要力量。
不过，TrendForce 同时指出，长期供货协议可能抑制 2027 年的价格涨幅。
TrendForce 称，如果长期供货协议（LTA）覆盖率达到 60% 至 70%，2027 年 DRAM 价格涨幅可能相对温和。不过，对于超出合同约定采购量的新增需求，供应商仍可能通过谈判获得更高价格。
因此，DRAM 未来的价格走势可能呈现涨势持续、涨幅相对温和的特征，而非所有产品价格同步大幅攀升。
综合供需状况及合同安排，TrendForce 目前预计，DRAM 价格上涨趋势可能持续至 2028 年上半年。
积极扩产难解供应紧张，2028 年或成关键节点
存储芯片制造商虽然正在积极规划资本开支，但新增投资短期内未必能够转化为实际供应。
TrendForce 认为，受洁净室条件限制和半导体设备交付周期延长影响，2028 年之前 DRAM 产能可能难以实现显著扩张。
对于韩国主要存储厂商，TrendForce 预计，每家供应商 2027 年可能增加 8 万至 10 万片晶圆的月产能。但新增产能的实际用途，将影响传统 DRAM 市场的供给增长。
其中，三星电子新增产能预计将主要分配给 HBM 生产，意味着传统 DRAM 比特产出增长将更多依赖技术迁移，而不是新增产能直接释放。
这一变化使存储行业面临特殊的供给约束：即使制造商增加投资、扩大整体生产能力，传统 DRAM 供应也未必能够同步快速增长。
另一方面，产能建设仍需要时间。TrendForce 预计，半导体设备供应情况可能从 2027 年下半年开始改善，新建晶圆厂则有望从 2028 年起贡献更具规模的新增供应。
但设备供应改善并不意味着厂商必然全面加速扩产。TrendForce 指出，存储芯片供应商仍可能根据未来需求前景调整产能扩张计划。
因此，2028 年可能成为观察存储芯片新增供应能否明显释放的重要时间节点，但实际扩产规模仍取决于市场需求和厂商决策。
谷歌 TPU 推动需求多元化，HBM4 收入占比或达六成
除价格和产能之外，AI 芯片需求结构变化也正在影响 HBM 市场。
TrendForce 指出，谷歌正成为越来越重要的 HBM 需求推动力量。随着谷歌 TPU 在相关计算需求中的占比提高，HBM3E 即使进入 2027 年，仍有望获得持续的比特需求支撑。
这意味着，HBM 需求增长并非仅由 HBM4 和 HBM4E 等新一代产品推动，不同代际产品可能同时获得需求支撑。
此外，HBM4 仍可能凭借较高的价格溢价成为行业收入的主要来源。
TrendForce 预计，2027 年 HBM4 将贡献接近 60% 的全球 HBM 行业收入。
这一预测反映出 HBM 市场需求和收入结构之间的差异：新一代 HBM4 可能凭借更高定价占据收入主导地位，而 HBM3E 等上一代产品仍能获得需求支持。
中国供应商持续追赶，中期竞争影响有限
在 HBM 市场快速扩张的背景下，中国存储芯片厂商也在持续推进产能和技术投资。
不过，TrendForce 认为，由于技术水平及生产良率与全球领先供应商之间仍存在明显差距，中国 HBM 供应商在中期内对现有市场格局构成的竞争风险有限。
该机构预计，2027 年中国供应商在全球 HBM 市场的份额仍将低于 2%。
从技术布局来看，TrendForce 指出，福建晋华目前仍主要聚焦 HBM2E，而长鑫存储则以 HBM3 和 HBM3E 为目标。
这意味着，尽管中国企业持续向更先进的 HBM 产品推进，但短期内仍面临技术升级和良率改善等挑战。
对于现有领先供应商而言，较高的技术门槛与中国厂商仍需克服的技术及良率差距，意味着中国供应商在中期内对全球 HBM 市场竞争格局的影响可能仍然有限。
高盛看好韩国存储龙头，但仍需警惕需求风险
基于存储芯片行业的积极前景，高盛重申对三星电子和 SK 海力士的买入评级，12 个月目标价分别为 50 万和 350 万韩元，同时维持三星电子优先股 38 万韩元的目标价。该行继续将三星电子列入重点推荐名单。
然而，存储行业的乐观前景仍面临多方面风险。
高盛指出，存储芯片供需关系明显恶化、智能手机及 PC 等终端需求减弱，以及技术迁移进度延迟，都可能影响相关企业的经营表现。
对于 HBM 业务而言，AI 相关资本开支减少尤其值得关注，因为这可能削弱整体 HBM 需求，进而影响供应商收入和利润。
此外，行业需求持续增长并不意味着所有企业都能保持现有竞争优势。高盛特别指出，三星电子 HBM 业务取得积极进展，可能对 SK 海力士的 HBM 收入和利润形成影响。
（财联社 夏军雄）
