IT 之家 10 月 15 日消息，据韩媒 The Elec 今天报道，SK 海力士现已公布 3D FeNAND 实现模拟存内计算（Analog Compute-in-Memory，A-CiM）的研究成果，相关研究已发表于 IEEE 论文。
3D FeNAND 则利用铁电材料的极化状态存储数据并控制电流。对比之下，传统 3D NAND 采用电荷俘获氮化物（CTN）结构，将电子捕获在氮化物层中。铁电材料的特点是，即使外部电场消失，其内部极化状态仍能保持。
SK 海力士表示，FeNAND 可在单个存储单元内产生多种电流状态，适合 AI 计算所需的权重数据。
