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新浪财经 22分钟前

美光 Q4 营收单季破 542 亿美元 预判存储 2027-2028 持续供给紧缺

来源:环球市场播报

美光科技公布 2026 财年第四财季业绩,全部核心指标均超出业绩指引上限。

第四财季实现营收 542.3 亿美元,环比大涨 31%,同比暴涨 379%;非 GAAP 毛利率高达 87.0%。

本财季非 GAAP 净利润 383.98 亿美元,摊薄每股收益 33.42 美元;经营现金流达到 439.73 亿美元,调整后自由现金流 332.0 亿美元,期末公司流动性储备高达 754.8 亿美元。

完整 2026 财年,美光总营收飙升至 1331.88 亿美元,同比增长 256%;其中 DRAM 全年营收突破千亿美元大关,达 1006.79 亿美元。

AI 驱动四大业务全线走高,数据中心 SSD 单季营收近百亿美元

AI 算力需求拉动各事业部营收集体创新高:

1. 核心数据中心业务(CDBU)营收 180.02 亿美元,环比暴增 56%,毛利率 90%。数据中心 SSD 单季营收接近 100 亿美元,较去年同期增长超 10 倍,公司预计 2026 年将连续第五年拿下数据中心 SSD 市占率历史新高。

2. 云内存业务 CMBU(以 HBM 为主)营收 162.83 亿美元,毛利率 83%。HBM 出货增速跑赢公司整体营收;美光已锁定 2027 年绝大多数 HBM 比特供应量,产品售价同比大幅上行,HBM 与普通 DRAM 的毛利率差距持续收窄。公司正与英伟达联合开发定制 NVHBM(HBM4E),将用于下一代 GPU 与 NVLink Fusion 平台。

3. 移动与客户端业务 MCBU 营收 131.14 亿美元,毛利率 90%;新一代 1 γ DRAM 产品已占到该板块近半数营收。

4. 汽车与嵌入式 AEBU 营收 68.24 亿美元,环比增长 47%。管理层看好物理 AI 赛道,L4 以上自动驾驶内存需求超 200GB,人形机器人存储需求对标高阶自动驾驶,多家客户已经开始采样下一代存储产品。

分产品维度:DRAM 本季营收 397.71 亿美元,ASP 环比高双位数上涨;NAND 营收 141.02 亿美元,ASP 环比大涨 30%,比特出货环比增长 10%。

手握 320 亿客户长单!26 份战略锁量协议,部分合约延至 2031 年

美光披露战略客户协议(SCA)进展:目前已经签署 26 份多年期 " 照付不议 " 长单,预计到 2030 年,长单收入占公司总营收比重将超过 35%。

客户给出的财务承诺总额达到 320 亿美元,绝大部分为现金定金。四分之三的长单设置价格地板与天花板,剩余部分跟随市场动态议价;已有部分合约将期限拓展至 2031 年,新签订长单均参考当前市场高价执行。长单稳定了美光长期供给规划,同时给下游客户锁定产能。

下财季指引:Q1 FY2027 营收看 615 亿美元,毛利率为本财年谷底

美光给出 2027 财年第一财季业绩展望(非 GAAP):

- 营收:615 亿美元,上下浮动 15 亿美元

- 毛利率约 86.25%,管理层提示 Q1 将是 FY2027 全年毛利率低点,后续季度毛利率再度回升

- 摊薄每股收益 38.15 美元,浮动 ± 1 美元,有效税率约 15.5%

FY2027 整体判断:公司预计全年营收逐季环比增长,再创年度业绩新高;全年运营费用预计增加约 25 亿美元,主要投向 AI 相关研发以及员工绩效激励。受 Q4 计提高额员工奖金存货结转影响,成本压力将集中体现在 2027 财年 Q1。分红方面,每股 0.15 美元将于 10 月 29 日发放。

行业重磅判断:存储供需缺口持续,尚未看到市场重回平衡时间点

美光管理层给出存储周期核心判断:2027 2028 年 DRAM、NAND 行业将持续供给紧张,目前看不到供需回归平衡的明确时间窗口。

即便全行业推进洁净室扩产,叠加 AI 带来持续超预期的增量需求,结构性缺口依旧存在。

- DRAM:2026 行业比特出货中双位数增长;2027 2028 降至低双位数增长,供给持续受限。

- NAND:2026 行业比特出货低 20%+ 增长;2027 2028 维持中 20%+ 增速,供不应求。

- HBM 比特出货增速将持续显著高于普通 DRAM 至 2028 年。

全球多点砸钱扩产,资本开支上调,多家新工厂 2027 2030 陆续落地

面对紧缺格局,美光决定上调 2027 财年资本开支计划,新增资金主要投向洁净室土建,保障 2028 年末之后新增产能释放。

全球产能布局节点:

- 美国:ID1 工厂预计 2027 年年中产出晶圆;ID2 工厂 2028 年末;纽约新工厂要到 2030 年才能投产。

- 新加坡:HBM 先进封装厂房进度超前,2027 年初投产;全新 NAND 厂房 2028 下半年投产。

- 日本 DRAM 新工厂破土,2028 年末初步产出。

公司提示:新建晶圆厂从产出晶圆到产能爬坡贡献营收,需要经历多个季度。

管理层人事更新

财报同步公布高管任命:

1. 马尼什 · 巴蒂亚(Manish Bhatia)出任总裁兼首席运营官 COO,全盘负责业务单元、全球运营,承担公司整体盈亏责任。

2. 斯科特 · 德布尔(Scott DeBoer)博士出任总裁兼首席技术与产品官,掌管全公司技术路线图、研发以及美光研究院。

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