IT 之家 9 月 22 日消息，韩媒 MONEYTODAY 当地时间昨日报道称，三星电子的晶圆代工业务正考虑新建 4nm 与 2nm 生产线，以扩大这两个制程节点上的制造能力，应对 HBM 内存对先进基础裸片 ( Base Die ) 的旺盛需求。
标准产品方面，三星电子存储器业务已确认将在 HBM4 ( E ) 世代使用 4nm Base Die，而其 HBM5 内存则将升级到 2nm Base Die。而对于定制 HBM，其 Base Die 将从主芯片卸载功能电路，对工艺也有很高要求。
此前消息指出，三星晶圆代工已将半数 4nm 产能用于 HBM4 Base Die 的生产，而 4nm Base Die 的需求将随着存储器业务 HBM4 出货的进一步加速再度提升。NVDIA Groq 3 等 AI 芯片也正持续扩产。
而在 2nm 方面，三星电子移动体验业务计划为更多 Galaxy S/Z 手机导入系统 LSI 业务设计的 Exynos 处理器，这也需求更大产能；另一方面，三星晶圆代工也接获了特斯拉等重要客户的订单。
