9 月 21 日早盘，A 股存储芯片板块走强，长鑫科技、国科微、香农芯创、澜起科技、江波龙等多只存储概念股跟涨。截至发稿，长鑫科技涨 2.3%，总市值 3.86 万亿元。
市场认为，催化主要来自前一日长鑫科技 G5 平台量产，以及同日联电、力积电带动的成熟制程涨价预期。
前一日，长鑫科技宣布第五代 DRAM 工艺平台 G5 正式量产，同日晚间发布自愿性披露公告。据公司大会发布及新华网等媒体报道，G5 工艺采用四重曝光方案，把内存阵列有源区半间距缩小到 11.95 纳米，存储电容深宽比达到 45:1。每片晶圆产出裸片数量较第四代平台提升至少 50%，该数据均换算为 8Gb 颗粒基准统计，属筛选前理论计数，不等同于良率改善。公司称 G5 平台工艺水平比肩行业顶尖量产工艺节点。
长鑫科技同步展出两款基于 G5 平台打造的 LPDDR5X 产品，单颗容量均为 24Gb，较上一代同类型产品提升 50%，分别采用 496Ball 和 245Ball 封装，适配中高端智能手机及便携式消费电子，目前已进入规模量产。其中 10667Mbps 速率版本已搭载于努比亚 NaviX Ultra，为该速率国产 LPDDR5X 芯片首次量产应用。据公司公告，截至公告日，基于 G5 平台的量产产品尚未形成规模销售，短期内不会对经营业绩产生重大影响；良率爬坡仍需一定周期，新产品导入客户需经过验证与认证环节，市场拓展进度存在不确定性。
长鑫科技于 2026 年 7 月 27 日登陆上交所科创板，发行价 8.66 元，基础募资约 579 亿元，全额行使超额配售权后约 666 亿元，创科创板募资纪录。上市首日开盘报 49.5 元，盘中总市值一度突破 3.31 万亿元。据公司半年报，上半年实现营业收入 1503.1 亿元，同比增长 873.64%；归母净利润 776.05 亿元，上年同期亏损 23.32 亿元，同比扭亏为盈。
从行业近况看，AI 算力需求持续推动存储芯片维持高景气。据 TrendForce 今年 7 月发布的报告，第三季度服务器 DRAM 合约价预计环比上涨，但涨幅较第二季度明显收窄。服务器 DRAM 仍供不应求，但部分美系云服务商已签署长期协议，价格涨幅受到约束。同期 NAND 合约价预计环比上涨，涨幅同样较前几季缩减。三星、SK 海力士和美光进一步向 HBM 及企业级产品倾斜先进产能，直接挤压消费级 DRAM 供给空间，PC 和手机应用产能分配受限，消费级存储供应偏紧局面短期内难以缓解。
国内方面，长鑫科技在合肥、北京布局多座 DRAM 晶圆厂，G5 平台量产后的产能爬坡与客户导入正在推进，长江存储也在同步推进后续产能建设。两家公司均在加快扩产节奏，以把握 AI 算力需求带来的存储芯片需求增长窗口，并在技术迭代和供应链本土化方面持续投入。具体进展以公司披露为准。
长江存储控股的科创板 IPO 申请已于 8 月 21 日获受理，据上交所披露，该公司拟募资 330 亿元，保荐机构为中信证券和中信建投，招股书显示其 2026 年一季度营收 470.42 亿元、归母净利润 333.79 亿元。
从竞争格局看，长鑫科技 G5 平台量产使国产通用 DRAM 在关键微缩指标上与全球顶尖量产节点的差距进一步收窄，但 HBM、服务器 DRAM 及 EUV 路线仍由三星、SK 海力士和美光主导，短期尚难言格局重构。
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